Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 25 стр.

может устанавливаться мгновенно, поэтому существенное значение здесь
приобретают так называемые переходные процессы.
       Рассмотрим работу диода (условное обозначение приведено на рисунке
3.4), у которого область р-типа является базой, а область n-типа - эмиттером,
при воздействии на диод прямоугольного импульса (рисунок 3.5 а) /4/.
       При прямом напряжении потенциальный барьер снижается и происходит
инжекция электронов из эмиттера в базу (дырки базы тоже диффундируют в
эмиттер, но их концентрация мала, поэтому их потоком можно пренебречь).
Пришедшие в базу электроны не могут сразу рекомбинировать с дырками базы
или дойти до омического контакта базы (где они тоже могли бы
рекомбинировать), поэтому происходит накопление электронов в базе. Чем
больше прямой ток, тем больше электронов накапливается в базе. Число
электронов зависит также от времени жизни носителей заряда: чем оно больше,
тем меньше электронов рекомбинирует.




     Рисунок 3.4




     Рисунок 3.5

      При прямом напряжении сопротивление р-n-перехода хотя и нелинейно,
но очень мало, поэтому оно не влияет на ток, и импульс тока искажается очень
незначительно (рисунок 3.5 б).
      Как только напряжение изменится на обратное, обратный ток в первый
момент будет значительным, а обратное сопротивление резко уменьшится. Это
объясняется тем, что накопленные в базе носители заряда (электроны) начнут
перемещаться в сторону р-n-перехода и образуют импульс обратного тока. Этот
импульс будет тем больше, чем больше носителей зарядов накопилось в базе.
Заряды, накопленные в базе, втягиваясь полем р-n-перехода, переходят в
эмиттер, часть их рекомбинирует в базе с дырками (т.е. число их уменьшается и

                                                                          47