Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 29 стр.

неизменным будет и напряжение на резисторе Rн а следовательно, и Uвых.
Избыточное напряжение гасится на ограничивающем резисторе Rо.
      Основными параметрами стабилитронов являются напряжение ста-
билизации - значение напряжения на стабилитроне при протекании заданного
тока стабилизации (от 3 до 400 В при максимальном токе в несколько десятков
и сотен миллиампер), допустимая мощность, рассеиваемая в стабилитроне (от
сотен милливатт до единиц ватт), а также дифференциальное сопротивление rСТ
=∆UСТ/∆IСТ


     3.1.7 Варикап

      Варикапы - это полупроводниковые диоды, в которых использовано
свойство p-n-перехода изменять барьерную емкость при изменении обратного
напряжения. Таким образом, варикап можно рассматривать как конденсатор с
электрически управляемой емкостью /4/.
      Основными параметрами этих приборов являются емкость, измеренная
между выводами варикапа при заданном обратном напряжении, коэффициент
перекрытия по емкости - отношение емкости варикапа при двух заданных
значениях обратных напряжений, а также добротность - отношение
реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте сигнала к
сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного
напряжения.


     3.2 Транзисторы

     3.2.1 Биполярный транзистор

      Транзисторы подразделяются на биполярные и полевые.
      Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор (рисунок 3.8),
который содержит два взаимодействующих p-n перехода и предназначен для
генерации, усиления и преобразования сигналов электромагнитной природы.
Термин «биполярный» означает, что физические процессы в приборе
обусловлены движением носителей заряда обоих знаков (электронов и дырок).
      Конструктивно    транзистор    представляет   собой    монокристалл
полупроводника, в котором сформулированы чередующиеся области с разным
типом проводимости. Соответственно различают транзисторы: p-n-p и n-p-n
типа. Средняя область, которая делается достаточно тонкой (что
принципиально важно для работы транзистора), называется базой, для нее
характерна наименьшая концентрация примесей. Две другие - эмиттер и
коллектор. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным и
коллекторным p-n переходами. Очевидно, что назначение эмиттера –

                                                                        51