Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 31 стр.

(ИС) Современные сверхбольшие интегральные схемы содержат десятки и
сотни тысяч транзисторов, сформированных на площади в несколько
квадратных миллиметров.

     Схемы включения биполярного транзистора и режимы его работы.
     При включении транзистора в схему один из его выводов делают общим
для входной и выходной цепей. В соответствии с этим бывают три схемы
включения транзистора: с общей базой (ОБ) (рисунок 3.10 a); с общим
эмиттером (ОЭ) (рисунок 3.10 б); с общим коллектором (ОК) (рисунок 3.10
в).




                             Рисунок 3.10

      Существует четыре режима работы биполярных транзистора: нормальный
активный, двойной инжекции (насыщения), отсечки и инверсный активному. В
активном режиме: эмиттерный переход включен в прямом направлении, а
коллекторный - в обратном. В режиме насыщения: оба перехода включены в
прямом направлении. В режиме отсечки: оба перехода включены в обратном
направлении. В режиме инверсном активному: коллекторный переход включен
в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном.
      Конкретная схема включения транзистора и выбор режима определяются
задачей, которую должен выполнять этот прибор. Однако, прежде всего,
необходимо представить себе физический механизм процессов, определяющих
работу транзистора.

     Работа биполярного транзистора в активном режиме.
     Физические процессы в транзисторе удобнее рассматривать на примере
схемы с общей базой (ОБ), которая приведена на рисунке 3.11.


                                                                      53