Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 32 стр.

     Рисунок 3.11

       Рассмотрим работу на постоянном токе биполярного диффузионного
сплавного транзистора p-n-p структуры, включенного по схеме с ОБ в активном
режиме. При создании транзисторов обязательно выполнение следующих
условий:
       - концентрация основных носителей базы должна быть много меньше
концентрации основных носителей эмиттера;
       - ширина базы не должна превышать диффузионную длину заряженных
частиц (ω ≤ Lp).
       В активном режиме эмиттерный переход (ЭП) включен в прямом
направлении за счет включения постоянного источника питания Uэб, величина
которого имеет небольшое значение (близкое к высоте потенциального барьера,
т.е. доли вольт), а коллекторный переход (КП) – в обратном за счет включения
источника Uкб, величина которого на порядок превышает Uэб и ограничивается
напряжением пробоя коллекторного перехода. Следовательно, выполняется
соотношение:      Rэб<>Rвх.
       Дырки из эмиттера инжектируются в базу и диффундируют к
коллекторному переходу. В базе созданы условия для минимальной
рекомбинации инжектированных дырок с электронами базы, поскольку ширина
базы значительно меньше диффузионной длины основных носителей. Кроме
того, уровень легирования базы значительно ниже уровней легирования
эмиттера и коллектора, т.е. концентрация электронов в базе меньше в
концентрации дырок в эмиттере и коллекторе. По этим причинам, практически,
все инжектированные в базу дырки доходят до коллектора, и поле
коллекторного перехода втягивает (экстрагирует) их в коллектор.
       Наряду с основными носителями заряда через эмиттерный и
коллекторный переходы движутся и неосновные для каждой из областей
транзистора носители. Движение неосновных носителей существенно влияет на
работу транзистора и зависит от материала полупроводника и температуры
(тепловая генерация).


54