Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 30 стр.

инжектировать (впрыскивать) носители заряда в базу, коллектор используется
для экстракции (втягивания) носителей из области базы. Исходя из обеспечения
лучшей работы транзистора, область коллектора делается большей по
размерам, чем область эмиттера. Из тех же соображений активная толщина
базы делается небольшой (меньше диффузионной длины неосновных
носителей).




     Рисунок 3.8

На рисунке 3.9 показаны условные графические изображения и cтруктурные
схемы транзисторов р-n-р типа (а,в) и n-p-n типа (б,г).




                                Рисунок 3.9

     Здесь мы рассмотрим лишь транзисторы, в которых основной механизм
переноса заряда – диффузия. Существуют также дрейфовые транзисторы, в
которых перенос носителей осуществляется за счет дрейфа в электрическом
поле, создаваемом на базе. Дрейфовые транзисторы могут иметь рабочие
частоты выше 100 МГц, что является пределом для бездрейфовых
транзисторов.
      По максимальной рабочей частоте транзисторы подразделяются на
низкочастотные (до 30 МГц), среднечастотные (от 30 МГц до 300 МГц),
высокочастотные (до 300 МГц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 МГц). По
технологии изготовления переходов транзисторы делятся на сплавные,
диффузионные, конверсионные, сплавно-диффузионные, мезатранзисторы,
эпитаксимальные, планарные и т.д. Биполярные транзисторы изготавливаются
в дискретном исполнении и в качестве компонентов интегральных микросхем

52