Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 34 стр.

определяют при разомкнутой цепи эмиттера при определенном значении
обратного напряжения на коллекторе. Ток IКо вызывается термогенерацией и с
повышением температуры растет по экспоненциальному закону.
     В базе протекают ток IЭп, образованный электронами, инжектированными
в эмиттер, ток рекомбинации IБрек и обратный ток коллекторного перехода IКo :

      I Б = I Эn + I Брек − I K 0 .                                     (3.5)

     Ток IКo направлен навстречу токам IЭп и IБрек. Из моделей (3.2) и (3.4)
видно:
     I Б = IЭ − IK ,                                                   (3.6)

      что соответствует первому правилу Кирхгофа. Поскольку транзистор
изготовляют так, чтобы обеспечить возможно меньшее значение тока базы, ток
коллектора незначительно отличается от тока эмиттера: IК =IЭ.
      Итак, через транзистор течет сквозной ток от эмиттера через базу к
коллектору.
      Током коллектора можно управлять. Для этого следует изменить
напряжение источника питания цепи эмиттера. С увеличением Uэб снижается
потенциальный барьер эмиттерного перехода и увеличивается ток эмиттера, а
следовательно, и ток коллектора (при прочих равных условиях). Таким
образом, ток эмиттера является управляющим, а ток коллектора - управляемым.
Поэтому транзистор часто называют прибором, управляемым током. Отметим,
что изменение обратного напряжения источника питания цепи коллектора
практически не вызывает увеличения тока коллектора, так как поле
коллекторного перехода является ускоряющим и не может изменять числа
дырок, которые пересекают коллекторный переход.

     Коэффициент передачи тока биполярного транзистора
     1. Схема с общей базой
     Итак, для улучшения работы транзистора необходимо стремиться к тому,
чтобы коэффициенты γ и βn были близки к единице. Однако их нельзя
измерить, а можно только рассчитать теоретически. Поэтому для расчетов
вводят коэффициент передачи тока эмиттера (статический):

     α СТ = ( I K − I K 0 ) / I Э = I Kp / I Э ,                        (3.7)

     где IКр - дырочный ток коллектора;
         Iэ - ток эмиттера.
     Этот коэффициент можно измерить, а его значение равно:

     α СТ = γβ т                                                       (3.8)

56