ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
58
напряжения, или того и другого. В зависимости от схемы включения (ОБ, ОЭ,
ОК) транзистор усиливает либо ток, либо напряжение, либо то и другое /3, 4, 7/.
Схема c ОБ. В такой схеме значение тока коллектора близко к значению
тока эмиттера, т. е. усиления по току не происходит. Однако в этом случае
имеется усиление по напряжению и, следовательно, по мощности. Поскольку
сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов, а также нагрузки
включены последовательно и ток через них почти одинаков, небольшое
изменение тока эмиттера вызовет небольшое изменение напряжения в
эмиттерной цепи, тогда как в коллекторной цепи это изменение будет весьма
значительным, если R
к
велико. В этом случае напряжение, а следовательно, и
мощность возрастут во много раз.
При работе транзистора в усилительном режиме на его вход подается
переменный сигнал, который нужно усилить. Напряжение источника питания
постоянно, но переменное напряжение, подаваемое на коллектор (даже малое),
приводит к большим изменениям (колебаниям) переменного напряжения
сигнала на резисторе R
к
, т.е. в схеме происходит усиление малого переменного
входного сигнала.
Схема c ОЭ. Здесь происходит усиление и по току, и по напряжению.
Входным током является ток базы, значительно меньший тока эмиттера.
Изменяя входное напряжение, меняем высоту потенциального барьера и число
основных носителей заряда эмиттера через базу и соответственно через
коллектор. Т.к. в базу от источника поступает меньше носителей, чем
инжектируется из эмиттера в базу и коллектор, то незначительное увеличение
тока во входной цепи вызывает сильное изменение тока в выходной цепи.
Таким образом, транзистор, включенный по схеме с ОЭ, характеризуется
большим усилением по току. При этом имеется и усиление по напряжению: так
как выходное сопротивление велико, в цепь коллектора можно включить
резистор R
K
с большим сопротивлением, напряжение на котором будет больше,
чем входное. Соответственно происходит и усиление по мощности.
В схеме с ОК происходит усиление по току и по мощности, усиления по
напряжению нет.
Статические характеристики биполярного транзистора:
а) входные и выходные характеристики транзистора в схеме с ОБ
В этом случае семейство входных статических характеристик предс-
тавляет собой зависимости I
Э
=f(U
эб
) при U
кб
=const. По виду эти характеристики
напоминают прямые ветви вольтамперных характеристик полупроводниковых
диодов. При небольших напряжениях ток изменяется по экспоненциальному
закону, с ростом напряжения характер зависимостей становится
прямолинейным. При U
кб
=0 характеристики совпадают с характеристикой p-n-
перехода. включенного в прямом направлении.
При увеличении абсолютного значения напряжения на коллекторе
кривые незначительно смещаются влево и вверх и располагаются достаточно
напряжения, или того и другого. В зависимости от схемы включения (ОБ, ОЭ,
ОК) транзистор усиливает либо ток, либо напряжение, либо то и другое /3, 4, 7/.
Схема c ОБ. В такой схеме значение тока коллектора близко к значению
тока эмиттера, т. е. усиления по току не происходит. Однако в этом случае
имеется усиление по напряжению и, следовательно, по мощности. Поскольку
сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов, а также нагрузки
включены последовательно и ток через них почти одинаков, небольшое
изменение тока эмиттера вызовет небольшое изменение напряжения в
эмиттерной цепи, тогда как в коллекторной цепи это изменение будет весьма
значительным, если Rк велико. В этом случае напряжение, а следовательно, и
мощность возрастут во много раз.
При работе транзистора в усилительном режиме на его вход подается
переменный сигнал, который нужно усилить. Напряжение источника питания
постоянно, но переменное напряжение, подаваемое на коллектор (даже малое),
приводит к большим изменениям (колебаниям) переменного напряжения
сигнала на резисторе Rк, т.е. в схеме происходит усиление малого переменного
входного сигнала.
Схема c ОЭ. Здесь происходит усиление и по току, и по напряжению.
Входным током является ток базы, значительно меньший тока эмиттера.
Изменяя входное напряжение, меняем высоту потенциального барьера и число
основных носителей заряда эмиттера через базу и соответственно через
коллектор. Т.к. в базу от источника поступает меньше носителей, чем
инжектируется из эмиттера в базу и коллектор, то незначительное увеличение
тока во входной цепи вызывает сильное изменение тока в выходной цепи.
Таким образом, транзистор, включенный по схеме с ОЭ, характеризуется
большим усилением по току. При этом имеется и усиление по напряжению: так
как выходное сопротивление велико, в цепь коллектора можно включить
резистор RK с большим сопротивлением, напряжение на котором будет больше,
чем входное. Соответственно происходит и усиление по мощности.
В схеме с ОК происходит усиление по току и по мощности, усиления по
напряжению нет.
Статические характеристики биполярного транзистора:
а) входные и выходные характеристики транзистора в схеме с ОБ
В этом случае семейство входных статических характеристик предс-
тавляет собой зависимости IЭ=f(Uэб) при Uкб=const. По виду эти характеристики
напоминают прямые ветви вольтамперных характеристик полупроводниковых
диодов. При небольших напряжениях ток изменяется по экспоненциальному
закону, с ростом напряжения характер зависимостей становится
прямолинейным. При Uкб=0 характеристики совпадают с характеристикой p-n-
перехода. включенного в прямом направлении.
При увеличении абсолютного значения напряжения на коллекторе
кривые незначительно смещаются влево и вверх и располагаются достаточно
58
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »
