Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 37 стр.

плотно, так как влияние Uкб на ток Iэ мало. Оно проявляется только в том, что
при повышении |Uкб| увеличивается смещение коллекторного перехода, т.е.
уменьшается толщина базы. Следует обратить внимание на то, что при Uэб = 0 и
Uкб ≠ 0 ток эмиттера не равен нулю. В этом случае транзистор работает в
режиме отсечки (Uкб < 0) или насыщения (Uкб> 0).
       Входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ незначительно и
составляет единицы или десятки Ом, так как небольшое изменение напряжения
эмиттера значительно влияет на высоту потенциального барьера эмиттерного
перехода, включенного в прямом направлении, и, следовательно, на ток
эмиттера.
       Семейство выходных статических характеристик представляет собой
зависимость IК=f(Uкб) при IЭ=const. При увеличении тока эмиттера ток
коллектора увеличивается при заданном напряжении на коллекторе. При Iэ = 0
через коллектор проходит обратный ток коллекторного перехода Iк который
практически не зависит от напряжения на коллекторе. При напряжении на
коллекторе, равном нулю, Iк ≠ 0, так как ток эмиттера в этом случае не равен
нулю. При прямом напряжении на коллекторном переходе ток с изменением
напряжения резко меняется - транзистор работает в режиме насыщения.
       Выходное сопротивление в схеме с ОБ очень велико, достигает единиц
мегаом, так как изменение напряжения па коллекторе почти не влияет на ток
коллектора значение которого определяется током эмиттера и обратным током
коллекторного перехода Iк. На значение Iко, напряжение коллектора влияния не
оказывает.
       б) входные и выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ
       Рассмотрим теперь входные (рисунок 3.12 а) и выходные (рисунок 3.12 б)
статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общим
эмиттером. В этом случае так же, как и в схеме ОБ, входным напряжением
транзистора будет напряжение между базой и эмиттером (Uэб).
       Семейство характеристик Iб=f(Uэб) по внешнему виду сходно с
семейством Iэ=f(Uэб). Однако имеется ряд отличий. Во-первых, ток базы
значительно меньше тока эмиттера. Во-вторых, при закрытом эмиттерном
переходе (Uэб>0) в цепи базы будет протекать ток Iко - обратный ток
коллекторного перехода. В-третьих, с увеличением отрицательного напряжения
Uкэ , кривые Iб = f (Uэб) сдвигаются вправо, а сами кривые более линейны, чем
входные характеристики того же транзистора , включенного по схеме ОБ. В-
четвертых, при Uкэ = 0 входная характеристика соответствует прямой ветви
ВАХ двух р-n-переходов          (эмиттерного и коллекторного), включенных
параллельно, и проходит через начало координат.
       Входные характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ
отличаются от входных характеристик того же транзистора, включенного по
схеме ОБ. Различия обусловлены тем, что выходное напряжение Uкэ
приложенно одновременно к обоим переходам транзистора и в зависимости от
соотношений между |Uкэ| и |Uэб| режим транзистора меняется. При |Uкэ|<| Uэб| и

                                                                           59