Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

61
возрастание температуры сказывается на обратном токе коллекторного
перехода I
К()
, который часто называют тепловым током.
Рисунок 3.13
Температурная нестабильность характеристик транзистора является их
существенным недостатком.
Параметры биполярных транзисторов:
1. Малосигнальные параметры транзистора используются в
усилительных устройствах для малых переменных токов. Транзистор можно
рассматривать как активный четырехполюсник (рисунок 3.14).
Рисунок 3.14
Используя теорию четырехполюсника, установим связь между входными
и выходными токами и напряжениями транзистора через H-параметры, которые
описывают зависимости u1=f(i,u2) и i
2
= f(i, u2) . В общем случае транзистор
является нелинейным элементом. Для бесконечно малых приращений токов и
напряжений можно записать:
2
2
1
1
1
1
1
du
u
u
di
i
u
du
∂
∂
+
∂
∂
= 
возрастание температуры сказывается на обратном токе коллекторного
перехода IК() , который часто называют тепловым током.




                                  Рисунок 3.13

     Температурная нестабильность характеристик транзистора является их
существенным недостатком.

     Параметры биполярных транзисторов:
     1. Малосигнальные параметры транзистора используются           в
усилительных устройствах для малых переменных токов. Транзистор можно
рассматривать как активный четырехполюсник (рисунок 3.14).




                                  Рисунок 3.14

     Используя теорию четырехполюсника, установим связь между входными
и выходными токами и напряжениями транзистора через H-параметры, которые
описывают зависимости u1=f(i,u2) и i2 = f(i, u2) . В общем случае транзистор
является нелинейным элементом. Для бесконечно малых приращений токов и
напряжений можно записать:

             ∂u1      ∂u
     du1 =       di1 + 1 du2
             ∂i1      ∂u2




                                                                         61

Страницы