Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 41 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

63
0
22
=
=
Б
КЭ
K
Э
I
U
I
H
– выходная проводимость при холостом ходе во
входной цепи.
Модули Н -параметров можно определить по статическим входным и
выходным характеристикам. Рассмотрим в качестве примера схему с ОЭ.
Параметры Н
11э
и Н
12э
определяют по входным статическим характеристикам
(рисунок 3.15 а). Для этого из выбранной рабочей точки А на линейной части
характеристики проводят до пересечения с соседней характеристикой две
прямые линии: одну - параллельно оси токов АА', другую - оси напряжения
А'А". В полученном характеристическом треугольнике АА'А" катет АА' -
приращение тока базы ∆I
б
, а катет А'А" -приращение напряжения базы ∆U
бэ
.
Приращение напряжения коллектора ∆U
кэ
- это разность напряжений, при
которых снимались обе характеристики: ∆U
кэ
=U
кэ1
–U
кэ2
. Из треугольника
АА'А" имеем Н
11э
= ∆U
бэ
/∆I
б
и Н
12э
= ∆U
бэ
/∆U
кэ
при U
кэ
=0.
Рисунок 3.15
Параметры Н
21э
и Н
22Э
определяют по выходным статическим характеристикам
(рисунок 3.15 б). Значения модулей H -параметров обычно приводят в
справочниках, где указывают их усредненные значения.
2. Собственные параметры. Транзистор можно характеризовать также
физическими параметрами, не зависящими от способа его включения. К ним
относятся сопротивление эмиттера R
Э
, сопротивление базы R
Б
и сопротивление
коллектора R
К
.
3. Частотные параметры. Так как электрические сигналы могут иметь
разную частоту, то важно знать, как изменяются с частотой параметры
транзистора и в первую очередь коэффициент передачи тока (эмиттера или
базы), а также коэффициент усиления по мощности. Знание таких зависимостей
позволяет определять пригодность транзистора для работы в схемах с
сигналами заданной частоты. При изменении частоты сигнала меняется время
диффузии инжектированных в базу носителей заряда. Так, если транзистор
имеет структуру p-n-p типа и если передается сигнал низкой частоты, то период 
                  IK
      H 22 Э =                – выходная проводимость при холостом ходе во
                 U КЭ I Б = 0
входной цепи.
     Модули Н -параметров можно определить по статическим входным и
выходным характеристикам. Рассмотрим в качестве примера схему с ОЭ.
Параметры Н11э и Н12э определяют по входным статическим характеристикам
(рисунок 3.15 а). Для этого из выбранной рабочей точки А на линейной части
характеристики проводят до пересечения с соседней характеристикой две
прямые линии: одну - параллельно оси токов АА', другую - оси напряжения
А'А". В полученном характеристическом треугольнике АА'А" катет АА' -
приращение тока базы ∆Iб , а катет А'А" -приращение напряжения базы ∆Uбэ.
Приращение напряжения коллектора ∆Uкэ - это разность напряжений, при
которых снимались обе характеристики: ∆Uкэ=Uкэ1–Uкэ2. Из треугольника
АА'А" имеем Н11э= ∆Uбэ/∆Iб и Н12э= ∆Uбэ/∆Uкэ при Uкэ=0.




     Рисунок 3.15

Параметры Н21э и Н22Э определяют по выходным статическим характеристикам
(рисунок 3.15 б). Значения модулей H -параметров обычно приводят в
справочниках, где указывают их усредненные значения.
       2. Собственные параметры. Транзистор можно характеризовать также
физическими параметрами, не зависящими от способа его включения. К ним
относятся сопротивление эмиттера RЭ, сопротивление базы RБ и сопротивление
коллектора RК.
       3. Частотные параметры. Так как электрические сигналы могут иметь
разную частоту, то важно знать, как изменяются с частотой параметры
транзистора и в первую очередь коэффициент передачи тока (эмиттера или
базы), а также коэффициент усиления по мощности. Знание таких зависимостей
позволяет определять пригодность транзистора для работы в схемах с
сигналами заданной частоты. При изменении частоты сигнала меняется время
диффузии инжектированных в базу носителей заряда. Так, если транзистор
имеет структуру p-n-p типа и если передается сигнал низкой частоты, то период

                                                                             63

Страницы