ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
65
1. Транзисторы с управляющим p-n-переходом
Рассмотрим упрощенную структуру и принцип действия транзистора с
управляющим р-n-переходом (рисунок 3.16 а). Транзистор представляет собой
пластину полупроводника n- или р-типа, на гранях которой созданы области
противоположного типа электропроводности 3, на границах между вторыми
образованы р-n-переходы. На торцевых сторонах пластины и нa областях
формируют омические контакты. Контакты областей 3 соединены между собой
и образуют общий контакт. От всех трех контактов имеются выводы.
Рисунок 3.16
Часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-
переходами, является активной частью транзистора - канал транзистора
Контакт, через который носители заряда входят в канал, называют истоком
(И); контакт, через который носители заряда вытекают, называют стоком (С);
общий электрод от контактов областей (3) - затвором. В дальнейшем будем
рассматривать транзистор на основе пластины полупроводника n-типа (рисунок
3.16 а) с областями на гранях р-типа.
На оба р-n-перехода подается обратное напряжение смещения. Если бы
канал был р-типа, а области на гранях n-типа, то полярность была бы обратной.
При изменении U
зи
изменяются ширина р-n-перехода, а следовательно, и
сечение канала и его электрическое сопротивление. Таким образом, U
зи
управляет сопротивлением канала.
Если между истоком и стоком включить источник напряжения U
си
так,
чтобы потенциал стока был положительным относительно истока, то через
канал начнется дрейф основных для канала носителей заряда (электронов) от
истока к стоку, т.е. через канал будет проходить ток I
С
(направление тока от
стока к истоку). Включение источника U
си
влияет и на ширину p-n-перехода,
так как напряжение на p-n-переходе оказывается разным около стока и истока.
Потенциал канала меняется по его длине: потенциал истока равен нулю,
повышаясь в сторону стока, потенциал стока ранен U
си
. Напряжение смещения
на р-n-переходе вблизи истока равно |U
зи
|, вблизи стока |U
зи
| + U
cи
, т.е. ширина
р-n-перехода больше со стороны стока, а сечение канала и, следовательно,
сопротивление его наименьшие вблизи стока (пунктирная линия на рисунке
1. Транзисторы с управляющим p-n-переходом
Рассмотрим упрощенную структуру и принцип действия транзистора с
управляющим р-n-переходом (рисунок 3.16 а). Транзистор представляет собой
пластину полупроводника n- или р-типа, на гранях которой созданы области
противоположного типа электропроводности 3, на границах между вторыми
образованы р-n-переходы. На торцевых сторонах пластины и нa областях
формируют омические контакты. Контакты областей 3 соединены между собой
и образуют общий контакт. От всех трех контактов имеются выводы.
Рисунок 3.16
Часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-
переходами, является активной частью транзистора - канал транзистора
Контакт, через который носители заряда входят в канал, называют истоком
(И); контакт, через который носители заряда вытекают, называют стоком (С);
общий электрод от контактов областей (3) - затвором. В дальнейшем будем
рассматривать транзистор на основе пластины полупроводника n-типа (рисунок
3.16 а) с областями на гранях р-типа.
На оба р-n-перехода подается обратное напряжение смещения. Если бы
канал был р-типа, а области на гранях n-типа, то полярность была бы обратной.
При изменении Uзи изменяются ширина р-n-перехода, а следовательно, и
сечение канала и его электрическое сопротивление. Таким образом, Uзи
управляет сопротивлением канала.
Если между истоком и стоком включить источник напряжения Uси так,
чтобы потенциал стока был положительным относительно истока, то через
канал начнется дрейф основных для канала носителей заряда (электронов) от
истока к стоку, т.е. через канал будет проходить ток IС (направление тока от
стока к истоку). Включение источника Uси влияет и на ширину p-n-перехода,
так как напряжение на p-n-переходе оказывается разным около стока и истока.
Потенциал канала меняется по его длине: потенциал истока равен нулю,
повышаясь в сторону стока, потенциал стока ранен Uси. Напряжение смещения
на р-n-переходе вблизи истока равно |Uзи|, вблизи стока |Uзи| + Ucи , т.е. ширина
р-n-перехода больше со стороны стока, а сечение канала и, следовательно,
сопротивление его наименьшие вблизи стока (пунктирная линия на рисунке
65
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- …
- следующая ›
- последняя »
