ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
64
колебаний усиливаемого сигнала значительно больше времени диффузии. В
этом случае концентрация инжектированных в базу носителей заряда убывает
от эмиттерного перехода к коллекторному.
При передаче сигнала высокой частоты период усиливаемого сигнала
становится соизмеримым с временем диффузии и закон изменения
концентрации изменяется. В какие-то моменты времени появляются участки с
максимальной концентрацией в середине базы, поэтому диффузия носителей
происходит и в сторону эмиттерного перехода. Это вызывает усиление
рекомбинации носителей заряда в базе, вследствие чего уменьшается
эмиттерная составляющая тока, переданного в коллектор (I
КР
), а,
следовательно, уменьшится коэффициент передачи тока эмиттера.
Инерционность процессов в базе приводит также к фазовому сдвигу между
токами I
Эр
и I
Кр
, поэтому Н
21Б
становится величиной комплексной.
При высоких частотах сигнала наблюдаются фазовые сдвиги между
эмиттерным и коллекторным токами вследствие того, что движение носителей
через базу в коллектор будет происходить сравнительно медленно и изменения
тока коллектора запаздывают по отношению к изменениям тока эмиттера. За
счет сдвига фаз будет возрастать переменный ток базы, что снизит
коэффициент передачи тока базы β, и коэффициент Н
21э
при высокой частоте
будет также комплексной величиной.
3.2.2 Полевой транзистор
Интенсивное развитие интегральной технологии в полупроводниковом
приборостроении привлекают все большее внимание к явлениям,
происходящим в приповерхностном слое полупроводника. Особое место среди
этих явлений занимает эффект поля – изменение электропроводимости
поверхностного слоя под действием электрического поля, направленного
перпендикулярно поверхности.
Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные
свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим
через проводящий канал и управляемым электрическим полем /4, /.
Полевые транзисторы предназначены для усиления мощности и
преобразования электрических колебаний. В полевых транзисторах в
образовании выходного тока участвуют носители только одного типа: или
дырки, или электроны. Отсюда другое название полевых транзисторов -
униполярные. Носители заряда являются основными для активной области
полевого транзистора, которую называют каналом. Существует два типа
полевых транзисторов: с управляющим р-n-переходом и изолированным
затвором.
колебаний усиливаемого сигнала значительно больше времени диффузии. В
этом случае концентрация инжектированных в базу носителей заряда убывает
от эмиттерного перехода к коллекторному.
При передаче сигнала высокой частоты период усиливаемого сигнала
становится соизмеримым с временем диффузии и закон изменения
концентрации изменяется. В какие-то моменты времени появляются участки с
максимальной концентрацией в середине базы, поэтому диффузия носителей
происходит и в сторону эмиттерного перехода. Это вызывает усиление
рекомбинации носителей заряда в базе, вследствие чего уменьшается
эмиттерная составляющая тока, переданного в коллектор (IКР), а,
следовательно, уменьшится коэффициент передачи тока эмиттера.
Инерционность процессов в базе приводит также к фазовому сдвигу между
токами IЭр и IКр, поэтому Н21Б становится величиной комплексной.
При высоких частотах сигнала наблюдаются фазовые сдвиги между
эмиттерным и коллекторным токами вследствие того, что движение носителей
через базу в коллектор будет происходить сравнительно медленно и изменения
тока коллектора запаздывают по отношению к изменениям тока эмиттера. За
счет сдвига фаз будет возрастать переменный ток базы, что снизит
коэффициент передачи тока базы β, и коэффициент Н21э при высокой частоте
будет также комплексной величиной.
3.2.2 Полевой транзистор
Интенсивное развитие интегральной технологии в полупроводниковом
приборостроении привлекают все большее внимание к явлениям,
происходящим в приповерхностном слое полупроводника. Особое место среди
этих явлений занимает эффект поля – изменение электропроводимости
поверхностного слоя под действием электрического поля, направленного
перпендикулярно поверхности.
Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные
свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим
через проводящий канал и управляемым электрическим полем /4, /.
Полевые транзисторы предназначены для усиления мощности и
преобразования электрических колебаний. В полевых транзисторах в
образовании выходного тока участвуют носители только одного типа: или
дырки, или электроны. Отсюда другое название полевых транзисторов -
униполярные. Носители заряда являются основными для активной области
полевого транзистора, которую называют каналом. Существует два типа
полевых транзисторов: с управляющим р-n-переходом и изолированным
затвором.
64
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
