Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 40 стр.

UptoLike

Составители: 

62
2
2
2
1
1
2
2
du
u
i
di
i
i
di
+
= , (3.17)
Если в модели (1.34) коэффициенты в виде частных производных
обозначить буквами Н, получим систему H-параметров:
.
;
.2221212
2121111
duHdiHdi
duHdiHdu
+=
+=
(3.18)
Если на статических характеристиках рассматривать небольшую область,
то связь между постоянным током и напряжением с некоторым приближением
можно считать линейной, а транзисторлинейным четырехполюсником. Тогда
дифференциалы в выражении (3.18) можно заменить абсолютными значениями
малых приращений токов и напряжений:
u
1
=H
11
i
1
+ H
12
u
2
;
i
2
=H
21
i
1
+ H
22
u
2
. (3.19)
Н-параметры являются дифференциальными и характеризуют свойства
транзистора в статическом режиме (при работе без нагрузки) в рабочей точке,
положение которой на статических характеристиках определяется значениями
постоянных напряжений (и соответственно токов) на входных и выходных
зажимах транзистора. Определить Н-параметры можно опытным путем,
осуществляя режимы короткого замыкания и холостого хода по переменному
току. Для схемы с ОЭ U
1
=U
бэ
, U
2
=U
Kэ
, I
1
=I
б
, I
2
=I
К
и уравнения
четырехполюсника имеют вид:
.
;
2221
1211
КЭБK
КЭББЭ
UHIHI
UHIHU
+=
+=
(3.20)
Откуда значения параметров:
0
11
=
=
КЭ
Б
БЭ
Э
U
I
U
H
входное сопротивление при коротком замыкании
выходной цепи;
0
12
=
=
Б
КЭ
БЭ
Э
I
U
U
H
коэффициент обратной связи по напряжению при
холостом ходе со стороны входной цепи;
0
21
=
=
КЭ
Б
K
Э
U
I
I
H
коэффициент передачи тока (усиления) при
коротком замыкании выходной цепи;
             ∂i2      ∂i
     di2 =       di1 + 2 du2         ,                                         (3.17)
             ∂i1      ∂u2

     Если в модели (1.34) коэффициенты в виде частных производных
обозначить буквами Н, получим систему H-параметров:

     du1 = H11di1 + H12 du2 ;
                                                                               (3.18)
     di2 = H 21di1 + H 22 du2..

      Если на статических характеристиках рассматривать небольшую область,
то связь между постоянным током и напряжением с некоторым приближением
можно считать линейной, а транзистор – линейным четырехполюсником. Тогда
дифференциалы в выражении (3.18) можно заменить абсолютными значениями
малых приращений токов и напряжений:

     ∆u1=H11∆i1 + H12∆u2;
     ∆i2=H21∆i1 + H22∆u2.                                                      (3.19)

     Н-параметры являются дифференциальными и характеризуют свойства
транзистора в статическом режиме (при работе без нагрузки) в рабочей точке,
положение которой на статических характеристиках определяется значениями
постоянных напряжений (и соответственно токов) на входных и выходных
зажимах транзистора. Определить Н-параметры можно опытным путем,
осуществляя режимы короткого замыкания и холостого хода по переменному
току. Для схемы с ОЭ U1=Uбэ, U2=UKэ, I1=Iб, I2=IК и уравнения
четырехполюсника имеют вид:

     U БЭ = H11I Б + H12U КЭ ;
                                                                               (3.20)
     I K = H 21I Б + H 22U КЭ .

     Откуда значения параметров:

               U БЭ
     H11Э =                        – входное сопротивление при коротком замыкании
                I Б U КЭ = 0
выходной цепи;
               U БЭ
     H12 Э =                   – коэффициент обратной связи по напряжению при
               U КЭ I Б = 0
холостом ходе со стороны входной цепи;
               IK
     H 21Э =                      – коэффициент передачи тока (усиления) при
               I Б U КЭ = 0
коротком замыкании выходной цепи;

62