ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
62
2
2
2
1
1
2
2
du
u
i
di
i
i
di
∂
∂
+
∂
∂
= , (3.17)
Если в модели (1.34) коэффициенты в виде частных производных
обозначить буквами Н, получим систему H-параметров:
.
;
.2221212
2121111
duHdiHdi
duHdiHdu
+=
+=
(3.18)
Если на статических характеристиках рассматривать небольшую область,
то связь между постоянным током и напряжением с некоторым приближением
можно считать линейной, а транзистор – линейным четырехполюсником. Тогда
дифференциалы в выражении (3.18) можно заменить абсолютными значениями
малых приращений токов и напряжений:
∆u
1
=H
11
∆i
1
+ H
12
∆u
2
;
∆i
2
=H
21
∆i
1
+ H
22
∆u
2
. (3.19)
Н-параметры являются дифференциальными и характеризуют свойства
транзистора в статическом режиме (при работе без нагрузки) в рабочей точке,
положение которой на статических характеристиках определяется значениями
постоянных напряжений (и соответственно токов) на входных и выходных
зажимах транзистора. Определить Н-параметры можно опытным путем,
осуществляя режимы короткого замыкания и холостого хода по переменному
току. Для схемы с ОЭ U
1
=U
бэ
, U
2
=U
Kэ
, I
1
=I
б
, I
2
=I
К
и уравнения
четырехполюсника имеют вид:
.
;
2221
1211
КЭБK
КЭББЭ
UHIHI
UHIHU
+=
+=
(3.20)
Откуда значения параметров:
0
11
=
=
КЭ
Б
БЭ
Э
U
I
U
H
– входное сопротивление при коротком замыкании
выходной цепи;
0
12
=
=
Б
КЭ
БЭ
Э
I
U
U
H
– коэффициент обратной связи по напряжению при
холостом ходе со стороны входной цепи;
0
21
=
=
КЭ
Б
K
Э
U
I
I
H
– коэффициент передачи тока (усиления) при
коротком замыкании выходной цепи;
∂i2 ∂i
di2 = di1 + 2 du2 , (3.17)
∂i1 ∂u2
Если в модели (1.34) коэффициенты в виде частных производных
обозначить буквами Н, получим систему H-параметров:
du1 = H11di1 + H12 du2 ;
(3.18)
di2 = H 21di1 + H 22 du2..
Если на статических характеристиках рассматривать небольшую область,
то связь между постоянным током и напряжением с некоторым приближением
можно считать линейной, а транзистор – линейным четырехполюсником. Тогда
дифференциалы в выражении (3.18) можно заменить абсолютными значениями
малых приращений токов и напряжений:
∆u1=H11∆i1 + H12∆u2;
∆i2=H21∆i1 + H22∆u2. (3.19)
Н-параметры являются дифференциальными и характеризуют свойства
транзистора в статическом режиме (при работе без нагрузки) в рабочей точке,
положение которой на статических характеристиках определяется значениями
постоянных напряжений (и соответственно токов) на входных и выходных
зажимах транзистора. Определить Н-параметры можно опытным путем,
осуществляя режимы короткого замыкания и холостого хода по переменному
току. Для схемы с ОЭ U1=Uбэ, U2=UKэ, I1=Iб, I2=IК и уравнения
четырехполюсника имеют вид:
U БЭ = H11I Б + H12U КЭ ;
(3.20)
I K = H 21I Б + H 22U КЭ .
Откуда значения параметров:
U БЭ
H11Э = – входное сопротивление при коротком замыкании
I Б U КЭ = 0
выходной цепи;
U БЭ
H12 Э = – коэффициент обратной связи по напряжению при
U КЭ I Б = 0
холостом ходе со стороны входной цепи;
IK
H 21Э = – коэффициент передачи тока (усиления) при
I Б U КЭ = 0
коротком замыкании выходной цепи;
62
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- …
- следующая ›
- последняя »
