Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 38 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

60
одинаковой полярности этих напряжений («минус» на коллекторе и на базе)
транзистор будет находиться в режиме насыщения. Т.к. и на эмиттерном, и на
коллекторном переходах будет приложено прямое напряжение.
При увеличении |U
кэ
| напряжение коллекторном переходе при |U
кэ
|>|U
эб
|
окажется обратным. При этом транзистор переходит в активный режим . В
режиме насыщения ток I
к
сильно зависит от |U
кэ
| (участок ОА на рисунке 3.12
б). В активном режиме на семействе характеристик транзистора (см. рисунок
3.12 б) будет наблюдаться пологий участок. В отличие от семейства
характеристик для схемы с ОБ, пологие участки семейства характеристик
I
к
=f(U
кэ
) при I
б
= const имеют большой наклон. Тогда при расчете выходного
сопротивления в схеме ОЭ, его величина будет намного меньше входного
сопротивления по схеме с ОБ.
а) б)
Рисунок 3.12
Особенности выходных характеристик в схеме ОЭ следующие:
1) При увеличении |U
кэ
| от нуля до некоторого значения U'
кэ
ток
коллектора резко возрастает (на рисунке 3.12 б участок ОА).
2) При дальнейшем увеличении |U
кэ
| происходит переход работы
транзистора из режима насыщения в активный режим. Характеристики идут с
небольшим подъемом.
3) Чем больше ток I
б
, тем больше наклон. Кроме того, характеристики
заметно сгущаются при больших значениях тока базы. И чем больше I
б
, тем
быстрее при меньших значениях |U
кэ
| наступает электрический пробой.
4) При значениях тока базы I
б
= 0 выходной ток транзистора I`
к
>>I
ко
(см.
рисунки 3.12 а и 3.12 б).
Влияние температуры на характеристики транзистора.
Температура окружающей среды существенно влияет как на входные, так
и выходные характеристики транзистора (рисунок 3.13 а, б соответственно).
Это объясняется тем, что при увеличении температуры увеличивается энергия
электронов, вследствие чего увеличивается концентрация свободных носителей
заряда во всех областях транзистора, их подвижность и др. Особенно сильно 
одинаковой полярности этих напряжений («минус» на коллекторе и на базе)
транзистор будет находиться в режиме насыщения. Т.к. и на эмиттерном, и на
коллекторном переходах будет приложено прямое напряжение.
      При увеличении |Uкэ| напряжение коллекторном переходе при |Uкэ|>|Uэб|
окажется обратным. При этом транзистор переходит в активный режим . В
режиме насыщения ток Iк сильно зависит от |Uкэ| (участок ОА на рисунке 3.12
б). В активном режиме на семействе характеристик транзистора (см. рисунок
3.12 б) будет наблюдаться пологий участок. В отличие от семейства
характеристик для схемы с ОБ, пологие участки семейства характеристик
Iк=f(Uкэ) при Iб = const имеют большой наклон. Тогда при расчете выходного
сопротивления в схеме ОЭ, его величина будет намного меньше входного
сопротивления по схеме с ОБ.




                        а)                             б)
                                   Рисунок 3.12

      Особенности выходных характеристик в схеме ОЭ следующие:
      1) При увеличении |Uкэ| от нуля до некоторого значения U'кэ ток
коллектора резко возрастает (на рисунке 3.12 б участок ОА).
      2) При дальнейшем увеличении |Uкэ| происходит переход работы
транзистора из режима насыщения в активный режим. Характеристики идут с
небольшим подъемом.
      3) Чем больше ток Iб , тем больше наклон. Кроме того, характеристики
заметно сгущаются при больших значениях тока базы. И чем больше Iб , тем
быстрее при меньших значениях |Uкэ| наступает электрический пробой.
      4) При значениях тока базы Iб = 0 выходной ток транзистора I`к>>Iко (см.
рисунки 3.12 а и 3.12 б).
      Влияние температуры на характеристики транзистора.
      Температура окружающей среды существенно влияет как на входные, так
и выходные характеристики транзистора (рисунок 3.13 а, б соответственно).
Это объясняется тем, что при увеличении температуры увеличивается энергия
электронов, вследствие чего увеличивается концентрация свободных носителей
заряда во всех областях транзистора, их подвижность и др. Особенно сильно


60

Страницы