Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 44 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

66
3.16 а). Таким образом, током через канал можно управлять путем изменения
напряжений U
зи
(изменяет сечение канала) и U
cи
(изменяет ток и сечение по
длине канала).
Рассмотрим, какие критические значения могут принимать напряжения,
при которых изменяется режим работы транзистора.
Обратное напряжение смещения U
зи
, при котором наступает режим
отсечки и транзистор оказывается запертым (ток через него не протекает),
называют напряжением отсечки U
отс
. При этом значении напряжения p-n-
переходы смыкаются и поперечное сечение канала становится равным нулю.
Напряжение на стоке, при котором суммарное напряжение |U
зи
|+U
нас
становится равным напряжению отсечки U
отс
называют напряжением
насыщения U
нас
, следовательно:
U
нас
=|U
отс
|-|U
зи
| (3.21)
Режим, когда U
cи
>U
CИнас
, называют режимом насыщения. В этом режиме
почти прекращается рост тока стока, несмотря на увеличение напряжения U
си
.
Это объясняется тем, что одновременно увеличивается обратное напряжение на
затворе, вследствие чего канал сужается, что уменьшает ток I
С
. И в результате
ток I
с
почти не изменяется.
Сравнивая оба режима, можно заключить, что в режиме отсечки
сопротивление канала стремится к бесконечности, и при R
K
= ∞ ток I
С
= 0, а в
режиме насыщения дифференциальное сопротивление, равное R
диф
= dU
CИ
/dI
С
,
стремится к бесконечности, а ток Iс с ростом
U
CИ
остается без изменения.
На рисунке 3.16 б, в показано обозначение транзисторов с управляющим
p-n-переходом с каналами n- и р- типа соответственно. Полевые транзисторы,
как и биполярные, имеют три схемы включения (рисунок 3.17): с общим
истоком (ОИ) (а), общим стоком (ОС) (б) и с общим затвором (ОЗ) с каналом n-
типа (в). Основной схемой включения является схема с ОИ (см. рисунок 3.17,
а).
Рисунок 3.17
Основными статическими характеристиками транзистора с управляющим
p-n-переходом являются выходные (стоковые) и характеристики прямой
передачи (стокозатворные). Стоковые характеристики - это зависимости I
С
= 
3.16 а). Таким образом, током через канал можно управлять путем изменения
напряжений Uзи (изменяет сечение канала) и Ucи (изменяет ток и сечение по
длине канала).
      Рассмотрим, какие критические значения могут принимать напряжения,
при которых изменяется режим работы транзистора.
      Обратное напряжение смещения Uзи, при котором наступает режим
отсечки и транзистор оказывается запертым (ток через него не протекает),
называют напряжением отсечки Uотс. При этом значении напряжения p-n-
переходы смыкаются и поперечное сечение канала становится равным нулю.
      Напряжение на стоке, при котором суммарное напряжение |Uзи|+Uнас
становится равным напряжению отсечки         Uотс называют напряжением
насыщения Uнас, следовательно:

     Uнас=|Uотс|-|Uзи|                                                 (3.21)

      Режим, когда Ucи>UCИнас , называют режимом насыщения. В этом режиме
почти прекращается рост тока стока, несмотря на увеличение напряжения Uси.
Это объясняется тем, что одновременно увеличивается обратное напряжение на
затворе, вследствие чего канал сужается, что уменьшает ток IС. И в результате
ток Iс почти не изменяется.
      Сравнивая оба режима, можно заключить, что в режиме отсечки
сопротивление канала стремится к бесконечности, и при RK = ∞ ток IС= 0, а в
режиме насыщения дифференциальное сопротивление, равное Rдиф = dUCИ/dIС ,
стремится к бесконечности, а ток Iс с ростом UCИ остается без изменения.
      На рисунке 3.16 б, в показано обозначение транзисторов с управляющим
p-n-переходом с каналами n- и р- типа соответственно. Полевые транзисторы,
как и биполярные, имеют три схемы включения (рисунок 3.17): с общим
истоком (ОИ) (а), общим стоком (ОС) (б) и с общим затвором (ОЗ) с каналом n-
типа (в). Основной схемой включения является схема с ОИ (см. рисунок 3.17,
а).




     Рисунок 3.17

      Основными статическими характеристиками транзистора с управляющим
p-n-переходом являются выходные (стоковые) и характеристики прямой
передачи (стокозатворные). Стоковые характеристики - это зависимости IС =

66

Страницы