Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

68
-
CONSTСИ
З
ЗИ
ДИФВХ
U
dI
dU
R
=
=
..
– входное дифференциальное сопротивление,
где Iз - ток затвора, вызванный движением неосновных носителей через р-n-
переход. Так как концентрация неосновных носителей в канале (р
n
) и в р-
областях (n
р
) невелика, то обратный ток мал и почти не зависит от напряжения
|U
зи
|. Поэтому R
BXДИФ
очень велико и составляет от 10
6
до 10
10
Ом;
-
CONSTЗИ
С
СИ
ДИФВЫХ
U
dI
dU
R
=
=
..
– выходное дифференциальное сопротивление
(дифференциальное сопротивление цепи стока). Это сопротивление принимает
значение от 10
5
до 10
7
Ом;
- U
orc
– напряжение отсечки – напряжение на затворе при I
с
=О и U
си
=0;
- С
зи
– междуэлектродная емкость затвор-исток;
- С
зс
– междуэлектродная емкость затвор-сток;
- С
си
– междуэлектродная емкость сток-исток. Эти емкости измеряют
при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
Транзисторы этого типа называют также МДП-транзисторами (металл –
диэлектрик – полупроводник) или МОП-транзисторами (металл – окисел –
полупроводник), если в качестве диэлектрика используют окисел, например,
SiO
2
. Металлический электрод, обычно, наносят распылением в вакууме; это –
затвор. МДП-транзисторы бывают двух типов: со встроенным каналом и с
индуцированным каналом.
МДП-транзистор со встроенным каналом (рисунок 3.20). Его основу
составляет слабо насыщенная примесью пластина (подложка)
полупроводника с электропроводностью n- или р-типа, в которой созданы
две сильно насыщенные примесью области противоположного типа
электропроводности. Эти области соединены между собой, т.е. в МДП-
транзисторе со встроенным каналом, последний создается технологически.
Рисунок 3.20
На рисунках 3.21 а, б, в показаны схемы включения транзистора: с общим
истоком (ОИ), с общим стоком (ОС), с общим затвором (ОЗ).
Принцип работы МДП-транзистора со встроенным каналом рассмотрим
на примере схемы с ОИ (рисунок 3.21 а). В полупроводнике у его поверхности
Si n - типа
p
pp
U3 C
Al
SiO2
                        dU ЗИ
     -   RВХ . ДИФ. =                      – входное дифференциальное сопротивление,
                         dI З U СИ = CONST
где Iз - ток затвора, вызванный движением неосновных носителей через р-n-
переход. Так как концентрация неосновных носителей в канале (рn) и в р-
областях (nр) невелика, то обратный ток мал и почти не зависит от напряжения
|Uзи|. Поэтому RBXДИФ очень велико и составляет от 106 до 1010 Ом;
                         dU СИ
     -   RВЫХ . ДИФ. =                      – выходное дифференциальное сопротивление
                          dI С U ЗИ = CONST
(дифференциальное сопротивление цепи стока). Это сопротивление принимает
значение от 105 до 107 Ом;
      - Uorc – напряжение отсечки – напряжение на затворе при Iс=О и Uси=0;
      - Сзи – междуэлектродная емкость затвор-исток;
      - Сзс – междуэлектродная емкость затвор-сток;
      - Сси – междуэлектродная емкость сток-исток. Эти емкости измеряют
при разомкнутых по переменному току остальных выводах.

      2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
      Транзисторы этого типа называют также МДП-транзисторами (металл –
диэлектрик – полупроводник) или МОП-транзисторами (металл – окисел –
полупроводник), если в качестве диэлектрика используют окисел, например,
SiO2. Металлический электрод, обычно, наносят распылением в вакууме; это –
затвор. МДП-транзисторы бывают двух типов: со встроенным каналом и с
индуцированным каналом.
      МДП-транзистор со встроенным каналом (рисунок 3.20). Его основу
составляет слабо насыщенная примесью пластина (подложка)
полупроводника с электропроводностью n- или р-типа, в которой созданы
две сильно насыщенные примесью области противоположного типа
электропроводности. Эти области соединены между собой, т.е. в МДП-
транзисторе со встроенным каналом, последний создается технологически.
                                                                Al
                                                                     SiO2
                                U       3                   C

                                            p
                                    p                 p




                                            Si   n - типа



     Рисунок 3.20

     На рисунках 3.21 а, б, в показаны схемы включения транзистора: с общим
истоком (ОИ), с общим стоком (ОС), с общим затвором (ОЗ).
     Принцип работы МДП-транзистора со встроенным каналом рассмотрим
на примере схемы с ОИ (рисунок 3.21 а). В полупроводнике у его поверхности

68

Страницы