Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 45 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

67
f(U
си
) при U
зи
= const (рисунок 3.18). С повышением U
си
ток I
С
увеличивается
почти прямолинейно и при достижении U
си
= U
нас
(точки н) рост Ic
прекращается. Насыщение наступает при тем меньших значениях U
си
, чем
больше |U
зи
|.
На рисунке 3.19 показано семейство характеристик прямой передачи
зависимости I
С
= f(U
зи
) при U
cи
= const.
а) б)
Рисунок 3.19
В динамическом режиме на работу транзистора существенное влияние
оказывают зарядные емкости p-n-переходов: входная С
зи
и проходная С
зс
.
Входная емкость - это часть барьерной емкости р-n-перехода между затвором и
истоком, а проходная - часть барьерной емкости р-n-перехода между затвором
и стоком. Кроме того, учитывают емкость между истоком и стоком С
CИ
. Эти
емкости заряжаются через сопротивления каналов. Заряд-разряд емкостей не
происходит мгновенно, что и обусловливает инерционность прибора, а следо-
вательно, влияет на частотные свойства полевых транзисторов. Отметим, что
так как (в отличие от биполярных транзисторов) работа полевых транзисторов
не связана с инжекцией неосновных носителей заряда и их движением к
коллектору, то они свободны от влияния этих факторов на их частотные
свойства.
Основными параметрами транзисторов с управляющим р-n-переходом
являются:
-
CONSTСИ
ЗИ
C
U
dU
dI
S
=
=
– крутизна стокозатворной характеристики (здесь для
схемы с ОИ), представляющая собой отношение изменения тока стока к
изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному
току на выходе транзистора. Крутизна характеризует управляющее действие
затвора. Ее измеряют при U
зи
=0 и U
си
=U
нас
ПО характеристике прямой
передачи. Значения S обычно составляют несколько миллиампер на вольт; 
f(Uси) при Uзи = const (рисунок 3.18). С повышением Uси ток IС увеличивается
почти прямолинейно и при достижении Uси = Uнас (точки н) рост Ic
прекращается. Насыщение наступает при тем меньших значениях Uси, чем
больше |Uзи|.
      На рисунке 3.19 показано семейство характеристик прямой передачи
зависимости IС = f(Uзи) при Ucи= const.




                        а)                                б)
     Рисунок 3.19

      В динамическом режиме на работу транзистора существенное влияние
оказывают зарядные емкости p-n-переходов: входная Сзи и проходная Сзс.
Входная емкость - это часть барьерной емкости р-n-перехода между затвором и
истоком, а проходная - часть барьерной емкости р-n-перехода между затвором
и стоком. Кроме того, учитывают емкость между истоком и стоком СCИ. Эти
емкости заряжаются через сопротивления каналов. Заряд-разряд емкостей не
происходит мгновенно, что и обусловливает инерционность прибора, а следо-
вательно, влияет на частотные свойства полевых транзисторов. Отметим, что
так как (в отличие от биполярных транзисторов) работа полевых транзисторов
не связана с инжекцией неосновных носителей заряда и их движением к
коллектору, то они свободны от влияния этих факторов на их частотные
свойства.
      Основными параметрами транзисторов с управляющим р-n-переходом
являются:
             dI C
     - S=                      – крутизна стокозатворной характеристики (здесь для
            dU ЗИ U СИ = CONST
схемы с ОИ), представляющая собой отношение изменения тока стока к
изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному
току на выходе транзистора. Крутизна характеризует управляющее действие
затвора. Ее измеряют при      Uзи=0 и Uси=Uнас ПО характеристике прямой
передачи. Значения S обычно составляют несколько миллиампер на вольт;

                                                                               67

Страницы