Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 47 стр.

в   электрическом     поле   происходит     обеднение    или   обогащение
приповерхностного слоя носителями заряда, что зависит от направления
электрического поля в канале транзистора. Это направление электрического
поля определяется знаком потенциала на затворе относительно пластины. Если
на затвор подан положительный потенциал, электрическое поле будет
выталкивать дырки из канала, и канал обеднится основными носителями
(дырками), а проводимость канала уменьшится.




     Рисунок 3.21

      Если на затвор подан отрицательный потенциал, то дырки начнут
втягиваться в канал и обогащать его основными носителями, проводимость
канала увеличится. В первом случае транзистор работает в режиме обеднения,
вO втором случае - в режиме обогащения. Если исток и сток подсоединить к
источнику питания Uси, то начнется дрейф дырок через канал, т.е. через канал
пройдет ток стока IС, значение которого зависит как от Ucи так и от Uзи. При
прохождении тока в канале создается падение напряжения. Потенциал истока
равен нулю, а потенциал стока равен Ucи. На границе пластины n-типа с
областями р-типа и каналом р-типа образуется р-n-переход, который смещен в
обратном направлении. Так как в МДП-транзисторах затвор изолирован от
полупроводника пленкой диэлектрика, то эти транзисторы могут работать как
при положительном, так и при отрицательном напряжении Uзи.
      Статические характеристики МДП-транзистора со встроенным каналом
р-типа показаны на рисунке 3.22. Выходные (стоковые) - на рисунке 3.22 а;
переходные характеристики (стокозатворная) - на рисунке 3.22 б; для режима
обеднения - область I, обогащения - область II.




     Рисунок 3.22



                                                                         69