Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 48 стр.

      Полевые транзисторы с индуцированным каналом
      В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (рисунок 3.23) канал не
создается в процессе изготовления, а образуется под воздействием
электрического поля.




     Рисунок 3.23

      Если к транзистору с ОИ подключить напряжение Uси, по цепи стока
пойдет обратный ток р-n-перехода, значение которого очень мало. При
подключении в цепь затвора напряжения Uзи так, чтобы потенциал затвора
относительно истока и пластины был обязательно отрицательным (для
транзистора на рисунке 3.23), под действием электрического поля под затвором
приповерхностный слой пластины полупроводника обеднится. Если Uзи
достигнет определенного значения, называемого пороговым Uпор, то слой
полупроводника под затвором настолько обеднится, что произойдет его
инверсия: образуется канал р-типа, который соединит обе области р-типа. Если
Uси не равно 0, по каналу потечет ток стока. Изменяя напряжение на затворе,
можно менять толщину и поперечное сечение канала и тем самым его
сопротивление, а следовательно, и ток стока. На значение IС влияет также
напряжение Ucи. При этом изменяется и форма канала.
      Семейство выходных статических характеристик (рисунок 3.24 а) ана-
логично семейству выходных характеристик транзистора с управляющим p-n-
переходом.




     Рисунок 3.24


70