Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 49 стр.

Однако характеристика для Uзи =0 в этом случае отсутствует, так как канал
индуцируется при Uзи>Uпор. Переходные характеристики (рисунок 3.24 б)
IС = f(Uзи) при Ucи=соnst. Они сдвинуты относительно нуля координат на Uпор.
       Параметры МДП-транзисторов те же, что и у транзисторов с
управляющим p-n-переходом. В качестве параметра используют также
крутизнy характеристики по подложке:




      С помощью Sn учитывается влияние напряжения на пластине на ток
стока. Обычно Sn < S.
      На рисунке 3.25 а, в даны условные обозначения МДП-транзистора с
встроенным n- и р-каналом, на рисунке 3.25 б, г – с индуцированным n и p-
каналом.




     Рисунок 3.25

     МДП-транзисторы с индуцированным каналом используют чаще, чем
транзисторы с встроенным каналом. Существенно то, что при отсутствии
сигнала на входе они находятся в закрытом состоянии и не потребляют
мощности от источника питания.

      Применение полевых транзисторов
      Полевые транзисторы нашли широкое применение в радиоэлектронике.
МДП-транзистры имеют очень высокое входное сопротивление (RBX > 1014 Ом,
иногда до 1017 Ом). Транзисторы с управляющим p-n-переходом имеют более
низкое входное сопротивление (до 1011 Ом при комнатной температуре). Кроме
того, параметры МДП-транзисторов меньше зависят от температуры, чем
биполярных (так как принцип их работы основан на использовании только
основных носителей). Полевые транзисторы могут работать при низких
температурах (близко к абсолютному нулю), имеют высокую стабильность
параметров во времени при воздействии различных внешних факторов,
обладают высокой радиационной устойчивостью (на порядок больше, чем
кремниевые биполярные), что важно при использовании транзисторов в
космической технике и с низким уровнем шумов в области частот до 10 Гц.
Коэффициент шума составляет ~0,1 дБ при сопротивлении источника сигнала
~1 МОм.


                                                                         71