Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 50 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

72
Полевые транзисторы просты в изготовлении, поэтому выход годных
приборов выше, чем биполярных. При использовании их в интегральных
микросхемах удается получать высокую плотность расположения элементов
(на порядок выше, чем в схемах на биполярных транзисторах). В монолитных
интегральных схемах на МДП-транзисторах их можно использовать в качестве
резисторов (МДП-транзисторы, работающие на ненасыщенных участках
статических характеристик). Полевые транзисторы применяют в логических
схемах, так как большие матрицы из этих элементов располагаются очень
компактно. Их широко используют в цифровых вычислительных машинах.
Однако, несмотря на целый ряд преимуществ полевых транзисторов
перед биполярными, они не могут заменить их полностью. Это, в частности,
связано с малым коэффициентом усиления полевых транзисторов. Рабочий
диапазон частот полевых транзисторов значительно меньше, чем биполярных:
их чаще всего используют до частот в несколько мегагерц.
В гибридных микросхемах совместно используются и полевые, и
биполярные транзисторы, что позволяет создавать схемы с улучшенными
свойствами. Полевые транзисторы применяют в схемах усилителей,
генераторов, переключателей.
3.3 Тиристор
Тиристор – это полупроводниковый прибор с тремя и более p-n – перехо-
дами, имеющий на ВАХ участок с отрицательным сопротивлением S. Тиристор
может находиться в двух состояниях – закрытом (когда на приборе падает
большое напряжение и через него течет малый ток) и в открытом состоянии
(малое напряжение и большой ток). Тиристоры используются, в основном, в
схемах переключения /4, 8/.
Рассмотрим двухэлектродный тиристор (динистор), представляющий со-
бой четырехслойную структуру, содержащую три p-n-перехода (рисунок 3.26).
Рисунок 3.26
Переходы П1 и П3 включены в прямом направлении; их называют эмит-
терными. Переход П2 коллекторный, он включен в обратном направлении. Та-
ким образом, структура содержит две эмиттерные области (n и p - эмиттеры) и 
      Полевые транзисторы просты в изготовлении, поэтому выход годных
приборов выше, чем биполярных. При использовании их в интегральных
микросхемах удается получать высокую плотность расположения элементов
(на порядок выше, чем в схемах на биполярных транзисторах). В монолитных
интегральных схемах на МДП-транзисторах их можно использовать в качестве
резисторов (МДП-транзисторы, работающие на ненасыщенных участках
статических характеристик). Полевые транзисторы применяют в логических
схемах, так как большие матрицы из этих элементов располагаются очень
компактно. Их широко используют в цифровых вычислительных машинах.
      Однако, несмотря на целый ряд преимуществ полевых транзисторов
перед биполярными, они не могут заменить их полностью. Это, в частности,
связано с малым коэффициентом усиления полевых транзисторов. Рабочий
диапазон частот полевых транзисторов значительно меньше, чем биполярных:
их чаще всего используют до частот в несколько мегагерц.
      В гибридных микросхемах совместно используются и полевые, и
биполярные транзисторы, что позволяет создавать схемы с улучшенными
свойствами. Полевые транзисторы применяют в схемах усилителей,
генераторов, переключателей.


     3.3 Тиристор

      Тиристор – это полупроводниковый прибор с тремя и более p-n – перехо-
дами, имеющий на ВАХ участок с отрицательным сопротивлением S. Тиристор
может находиться в двух состояниях – закрытом (когда на приборе падает
большое напряжение и через него течет малый ток) и в открытом состоянии
(малое напряжение и большой ток). Тиристоры используются, в основном, в
схемах переключения /4, 8/.
      Рассмотрим двухэлектродный тиристор (динистор), представляющий со-
бой четырехслойную структуру, содержащую три p-n-перехода (рисунок 3.26).




     Рисунок 3.26

     Переходы П1 и П3 включены в прямом направлении; их называют эмит-
терными. Переход П2 коллекторный, он включен в обратном направлении. Та-
ким образом, структура содержит две эмиттерные области (n и p - эмиттеры) и


72

Страницы