Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 52 стр.

     Для такой структуры справедливо соотношение:

     I n 2 = α1 ⋅ I n1 + α1 ⋅ I n 3 + I кбо ,                         (3.22)

     где I n1 , I n 2 , I n3 - токи переходов П1, П2, П3;
                                                          го го
         α1α 2 - коэффициенты усиления по току 1 и 2 транзисторов;
         I кбо - обратный ток коллектора при эмитерных токах равных нулю.

     Для двухэлектродной структуры очевидно:

     I n1 = I n 2 = I n 3 = I a .                                     (3.23)

     Из выражений (3.22) и (3.23) следует:

             I кбо
     Ia =          ,                                                  (3.24)
            1−α

      где α = α1 + α 2 .
      Таким образом, условием переключения динистора будет выполнение
равенства α = 1 . Однако величины α1 и α 2 уже при малых токах могут быть
близки к единице, поэтому они должны быть уменьшены в процесе
изготовления тиристора. Для этого необходимо:
      1) одну из баз выполнить толстой: w>>Lд, где w – ширина базы, а Lд –
диффузионная длинна соответствующих неосновных носителей;
      2) один из эмиттерных переходов шунтируют объемным сопротивлением
базы.
      Если из одной из баз организовать управляющий электрод (невыпрям-
ляющий, омический контакт), получится трех электродный тиристор (трини-
стор), в котором возможно управление напряжением включения тиристора
(рисунок 3.29).




     Рисунок 3.29

     Если подать на управляющий электрод «у» напряжение такой
полярности, что первый эмитерный переход будет включен в прямом



74