Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 54 стр.

      Крайние переходы (1 и 4) зашунтированы объемными сопротивлениями
прилегающих к этим переходам областей с проводимостью p – типа. Если
подать «+» на области n1 и «–» на области n3, то переход 1 включен в обратном
направлении и весь ток идет через базу p1. Переход 4 включен в прямом
направлении. Значит, при выбранной полярности напряжения рабочая часть
тиристора представляет p-n-n-p – структуру, в которой происходят те же
процессы, что и в динисторе, т.е. переключение.
      При перемене полярности внешнего напряжения переход 4 включен в об-
ратном направлении и зашунтирован базой р2, т.е. будем иметь n-p-n-p – струк-
туру, т.е. тот же динистор. Таким образом, симистор – это два тиристора, вклю-
ченных встречно и шунтирующих друг друга.
      Симистор можно сделать и управляющим, если у одной из областей р –
типа сделать омический контакт с соответствующим управляющим выводом.
      Включение тиристора, как это следует из вышесказанного, можно произ-
водить:
      а) путем медленного увеличения анодного напряжения;
      б) путем подачи напряжения на управляющий электрод.
      Возможно также включение тиристора путем быстрого увеличения
анодного напряжения. При этом через прибор будут протекать значительные
емкостные токи, приводящие к уменьшению напряжения включения с ростом
скорости изменения напряжения ∂U ∂t .
      Выключение тиристора произойдет только при рассасывании неравновес-
ных носителей заряда в базах.
      Способы выключения:
      а) разрыв цепи анодного тока;
      б) изменение полярности анодного напряжения;
      в) с помощью тока управления.
      Основные параметры тиристоров:
      - Uвкл. – прямое анодное напряжение, при котором происходит
включение тиристора;
      - Iвкл. – ток включения;
      - Iу вкл. – отпирающий ток управления – наименьший ток в цепи
управляющего электрода, который обеспечивает переключение при данном Uа;
      - Iпр.max. – максимальный допустимый ток в прямом направлении;


     3.4 Фотоэлектрические полупроводниковые приборы

     Фотоэлектрическими называют такие приборы, в которых лучистая
энергия преобразуется в электрическую /4, 7/.
     Принцип действия полупроводниковых фотоэлектрических приборов
основан на использовании внутреннего фотоэффекта, суть которого
заключается в следующем. Лучистая энергия излучается в виде квантов света

76