Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 53 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

75
направлении, то инжекция из эмиттера увеличиться, что приведет к
уменьшению напряжения включения.
Другими словами, меняя напряжение на управляющем электроде, можно
изменять ток эмиттера, а, следовательно, и величину α и U
вкл.
(рисунок 3.30).
Рисунок 3.30
Разработаны тиристоры, имеющие одинаковые ВАХ при различной по-
лярности приложенного напряжения. Это симметричные тиристоры – сими-
сторы. ВАХ симистора показана на рисунке 3.31.
Рисунок 3.31
Симистор состоит из пяти областей с чередующимся типом проводимо-
сти и содержит четыре p – n – перехода (рисунок 3.32).
Рисунок 3.32 
направлении, то инжекция из эмиттера увеличиться, что приведет к
уменьшению напряжения включения.
     Другими словами, меняя напряжение на управляющем электроде, можно
изменять ток эмиттера, а, следовательно, и величину α и Uвкл. (рисунок 3.30).




     Рисунок 3.30
     Разработаны тиристоры, имеющие одинаковые ВАХ при различной по-
лярности приложенного напряжения. Это симметричные тиристоры – сими-
сторы. ВАХ симистора показана на рисунке 3.31.




     Рисунок 3.31

      Симистор состоит из пяти областей с чередующимся типом проводимо-
сти и содержит четыре p – n – перехода (рисунок 3.32).




     Рисунок 3.32


                                                                          75

Страницы