Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 51 стр.

две базовые (n и p - базы). В такой структуре реализуется внутренняя положи-
тельная обратная связь, которая приводит к переключению (рисунок 3.26).




     Рисунок 3.27

       Участок 1 вольтамперной характеристики, изображенной на рисунке 3.27,
подобен обратной ветви ВАХ диода, т.к. большая часть приложенного к
структуре внешнего напряжения падает на коллекторном переходе,
включенном в обратном направлении. С увеличением напряжения
увеличивается и прямое напряжение на эмиттерных переходах П1 и П3.
Электроны, инжектированные из n – эмиттера в p – базу, образуя в ней
избыточный отрицательный заряд, понижающий потенциальный барьер для
дырок перехода П3. Это вызывает увеличение инжекции дырок из p – эмиттера
в n – базу, создавая в ней избыточный положительный заряд. Последнее
обстоятельство увеличивает инжекцию электронов из n – эмиттера в p – базу и
т.д. Так образуется положительная обратная связь.
       В результате накопления избыточного положительного заряда в p – базе и
отрицательного в n – базе при некотором напряжении Uвкл коллекторный пере-
ход оказывается включенным в прямом направлении, происходит резкое увели-
чение тока и одновременно уменьшение падения напряжения на тиристоре
(участок 2 на рисунок 3.27). Для поддержания включенного (открытого)
состояния необходим ток, поддерживающий избыточный заряд в базах. Если
же ток понизить до значения Iвыкл., то в результате рекомбинации и
рассасывания избыточных зарядов переход П2 вновь окажется включенном в
обратном направлении и тиристор выключится (перейдет в закрытое
состояние). Структура тиристора может быть представлена как два
эквивалентных транзистора, соединенных между собой, как это показано на
рисунке 3.28.




     Рисунок 3.28

                                                                          73