Электроника и основы микропроцессорной техники. Раимова А.Т - 33 стр.

     Токи биполярного транзистора.
     Таким образом, в эмиттере дырки создают ток IЭр , а в коллекторе они
представляют собой дырочную составляющую тока коллектора IКр, которая
меньше тока IЭр на ток, вызванный рекомбинацией дырок в базе и называемый
базовым током рекомбинации. Этот ток является нежелательным, поскольку он
ухудшает усилительные свойства транзистора, его уменьшение достигается
уменьшением толщины базы. Потерю дырочного тока эмиттера на
рекомбинацию в базе характеризует коэффициент переноса дырок:

      β = I Kp / I Эз                                                 (3.1)

приближенное значение которого определяют из соотношения:
     β ≈ 1 – 0.5 w2 / LP2 . В реальных транзисторах β = 0.980 – 0.995.
     Через эмиттер помимо дырочного протекает и электронный ток IЭn,
обусловленный переходом в область эмиттера электронов базы, а также
обратный ток эмиттерного перехода IЭ0, образованный неосновными
носителями областей базы (дырками) и эмиттера (электронами). Этот ток
называется термогенерацией. Вследствие того, что ток Iэо мал и не влияет на
ток коллектора, им можно пренебречь. Таким образом, ток эмиттера
определяется:

      I Э = I Эp + I Эn .                                              (3.2)

     Составляющая тока эмиттера IЭn является вредной, т.к. вызывает
дополнительный нагрев транзистора.
     Долю дырочного тока в эмиттере IЭр определяют коэффициентом
инжекции:

     γ = I Эp / I Э ,                                                  (3.3)

     характеризующим эффективность работы эмиттера. Для уменьшения
электронной составляющей эмиттерного тока базу насыщают примесью
незначительно. При этом удается обеспечить γ = 0.990 ÷ 0.995. В коллекторе и
базе следует также учитывать обратный ток коллекторного перехода IКо,
образованный неосновными носителями областей базы и коллектора:

     I K = I Kp + I K 0 .                                              (3.4)

      Поскольку концентрация неосновных носителей значительно больше в
базе, чем в коллекторе, обратный ток коллекторного перехода состоит в
основном из дырок базы. Величина IKо является параметром транзистора,
характеризующим его качество (чем меньше IКо, тем транзистор лучше). Ток IКо

                                                                          55