Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

26
R
min
второй группы - больше значения сопротивления, численно равного удель-
ному электрическому сопротивлению, определяемому как
=ρ
∑∑
==
n
i
i
n
i
iоптS
R
/R
11
1
, ( 3.6 )
где R
i
- номинал i-го резистора; n - число резисторов в схеме.
После разбивки по формуле (3.6) рассчитывают ρ
S опт
для каждой группы ре-
зисторов в отдельности. Если же отношение (R
max
/ R
min
) ≤ 50, то рекомендует-
ся все резисторы выполнять из одного материала.
2. Выбирается материал резистивной пленки (см. табл. 3.1) с удельным
электрическим сопротивлением р
S
, ближайшим к вычисленному ρ
S опт
, с
учетом рекомендуемого диапазона номинальных значений резисторов.
При этом необходимо, чтобы температурная погрешность была мала, а
удельная мощность рассеяния Р
0
велика.
3. Рассчитываются погрешности.
Суммарная относительная погрешность γ
R
может быть представлена как
сумма относительных погрешностей
γ
R =
γ
Кф
+
γ
ρs
+ γ
RT
+
γ
CT
+
γ
K
( 3.7 )
здесь γ
Кф
- погрешность коэффициента формы; γ
ρs
- погрешность воспроизве-
дения удельного электрического сопротивления резистивной пленки,
в первом приближении можно определить γ
ρs
≈ 0,5 γ
R
; γ
RT
– температурная по-
грешность; γ
CT
– погрешность, связанная со старением пленки; γ
K
– погреш-
ность переходных сопротивлений контактов.
Две последние составляющие формулы ( 3.7 ) важны для прецизионных ре-
зисторов и составляют в среднем не более 1 – 2 %.
Температурная погрешность равна
γ
RT
= a
R
·∆Τ , ( 3.8 )
где a
R
- температурный коэффициент сопротивления материала пленки, его
значение определяется выбранным материалом пленочного резистора (см.
табл.3.1); ∆Τ задано.
Рассчитывается γ
Кф
γ
Кф
= γ
R
-
γ
ρs
-
γ
RT
-
γ
CT
-
γ
K
( 3.9 )
4. Определяется коэффициент формы К
фi
каждого резистора
К
фi
= R
i
/ ρ
S
где R
i
- номинал i-гo резистора.
Если 1 < К
ф
≤ 10, то резистор рекомендуется выполнять прямоугольной фор-
мы, длина l которого больше ширины b. При 0,1 ≤ К
ф
< 1 - то же, но l < b;
если 10 ≤ К
ф
≤ 50, то резистору придают форму меандра. Конструкции резисто-
ров с К
ф
< 0,1 занимают большие площади на подложке и поэтому не рекомен-
дуются. Наиболее распространенные конструкции пленочных резисторов схе-
матично показаны на рис.3.2.

Страницы