Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 24 стр.

UptoLike

Составители: 

24
Тогда формулу (3.1) с учетом ( 3.2 ) и ( 3.3 ) запишем в виде
R = ρ
S
· К
Ф
( 3.4 )
Из выражения ( 3.4 ) следует
ρ
S
=
l
bR
К
R
Ф
= ( 3.5 )
Если резистор квадратной формы, то b = l и R = ρ
S
. Таким образом получает-
ся, что размерность ρ
S
есть [Ом] или Ом/. Последнее выражение размерности
показывает, что ρ
S
численно равно сопротивлению резистора квадратной фор-
мы и не зависит от размера квадрата.
Основными электрическими параметрами пленочного резистора являются:
R [Ом], ρ
S
, К
Ф
и температурный коэффициент сопротивления а
R
, равный
а
R
= ТКС =
[
]
1
1
град
T
R
R
,
где
R -
изменение
сопротивления
под
действием
изменения
температуры
∆Т
.
Важным
параметром
является
также
максимальная
удельная
мощность
рас
-
сеяния
Р
0
,
равная
Р
0
=
bl
Р
max
[
мВт
/
мм
2
] ,
где
Р
max
максимальная
мощность
,
которую
может
рассеять
резистор
,
не
раз
-
рушаясь
.
3. 2. Расчет тонкопленочпых резисторов
Исходными
для
расчета
пленочных
резисторов
данными
являются
:
-
номиналы
резисторов
R,
входящих
в
заданную
электрическую
схему
;
-
допуски
на
номиналы
γ
R
;
-
диапазон
рабочих
температур
T = T
max
~ T
min
;
-
точность
выполнения
линейных
размеров
b,
мкм
;
-
технологические
ограничения
;
-
мощность
рассеяния
на
каждом
резисторе
Р
i
.
В
зависимости
от
заданной
точности
изготовления
резисторов
выбирают
тот
или
иной
метод
формирования
их
конфигурации
.
В
частности
,
при
γ
R
10 %
можно
воспользоваться
масочным
методом
,
а
при
γ
R
5 % -
фотоли
-
тографическим
.
Выбрав
метод
формирования
конфигурации
,
определяют
l,
b
и
технологические
ограничения
.
Максимальные
значения
рассеиваемых
на
ка
-
ждом
резисторе
мощностей
берутся
по
результатам
расчета
,
исходя
из
заданно
-
го
электрического
режима
работы
схемы
.
Рекомендуется
следующая
последовательность
проведения
расчета
.
1.
Определяется
отношение
(R
max
/ R
min
)
в
схеме
.
Если
данное
отношение
превышает
50,
то
в
некоторых
случаях
целесообразно
изготавливать
резисторы
из
двух
различных
материалов
.
Для
этого
резисторы
,
входящие
в
состав
данной
схемы
,
разбивают
на
две
группы
так
,
чтобы
R
max
первой
группы
было
меньше
, a