Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

22
4. Отсутствие выпрямляющего контакта между материалами резистивной плен-
ки и контактной площадкой.
5. Химическую инертность материалов друг к другу.
6. Хорошие условия для присоединения навесных проводников к тонкой пленке
контактной площадки.
Таблица 3.1.
Основные параметры материалов тонкопленочных резисторов
Наименование
материала
ρ
S
, Ом/ٱ
Диапазон зна-
чений сопро-
тивлений, Ом
ТКR·10
4
,град
-1
в интервале
∆T= (-60-
+125)
˚
C
Максимально
допустимая
удельная
мощность
рассеяния Р
0
,
Вт/см
2
Сплав
РС – 3001
800 – 3000 50 – 30000 0,2 2
Сплав
РС – 3710
100 – 2000 10 – 20000 2 – 5 2
Сплав
РС – 1714
50 – 500 5 – 5000 7 – 10 -
Сплав
РС – 4206
200 – 2000 20 – 20000 2 -
Сплав
РС – 5406
5 – 100 0,5 – 1000 0,5 -
Кермет К-50С
1000 – 10000 100 – 100000 - 5 - +3 2
КС – 500 1000 – 3000 100 – 30000 0,5 -
Специальный
сплав № 3
ОЖО.021.010.ТУ
350 – 500 100 – 50000 2 2
Нихром 50 – 300 5 – 3000 2,5 -
Тантал ТВЧ 10 – 100 1 – 1000 - 2 3
Хром 500 50 – 30000 0,6 1
Сплав 500 50 - 30000 ± 2 2
Перечисленным требованиям лучше всего удовлетворяют многослойные
контактные площадки. В качестве первого слоя, называемого подслоем, спо-
собного образовывать прочное сцепление с подложкой и последующими слоя-
ми, используются очень тонкие (100 – 200)Ǻ металлические пленки, чаще всего
пленки хрома, нихрома, марганца. Основной слой контактной площадки напы-
ляется из материала с высокой проводимостью (алюминий, медь, золото) на
подслой и имеет толщину в несколько тысяч Ангстрем. Для предотвращения
окисления поверхности основного слоя на него наносят защитный слой. Выбор
подслоя, слоя и защитного слоя зависит от используемого материала резистив-

Страницы