Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

21
3. ПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Пленочные элементы, такие как резисторы, конденсаторы, индуктивности,
проводники, линии с распределенными параметрами и другие, находят широ-
кое применение в конструкциях интегральных схем и микросборок.
3.1. Пленочные интегральные резисторы
Конструкция пленочных резисторов должна учитывать особенности тополо-
гической структуры функционального пленочного узла (размеры подложки, ко-
личество и расположение выводов и т.д.), величину номинала, характеристики
используемых материалов, технологию производства, требуемую и возможную
точность воспроизведения номинала, условия эксплуатации микросхем.
Электрические характеристики и величины номинала зависят от конструкции
резистора, материала подложки, резистивной пленки и контактных площадок, а
также в сильной степени от технологии изготовления.
Наиболее распространенным является метод термического испарения в ва-
кууме, достоинства которого заключаются в следующем:
1. Возможность получения резистивных пленок с широки диапазоном изме-
нения удельного поверхностного сопротивления.
2. Относительная простота технологического контроля, обеспечивающая хо-
рошую воспроизводимость номиналов резистора.
3. Совместимость технологических процессов получения резистивных, про-
водящих и диэлектрических пленок.
4. Высокая производительность при напылении тонкопленочных элементов.
При получении тонких пленок тугоплавких металлов, сплавов и окислов ис-
пользуются такие способы как катодное ионно-плазменное распыление, осаж-
дение из газовой и паровой фазы. Широкий диапазон изменения номиналов ре-
зисторов, используемых в пленочных микросхемах, вызывает необходимость
применять материалы резистивных пленок с различными удельными поверхно-
стными сопротивлениями, которые могут обеспечить хорошую адгезию к под-
ложке, температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР), близкий к
ТКЛР подложки, относительно низкую температуру испарения, высокую тем-
пературную и временную стабильность пленочных резисторов, постоянство
химического состава (стехиометрию), отсутствие взаимодействия резистивной
пленки с подложкой и пленками других материалов (табл.3.1 «Основные пара-
метры материалов тонкопленочных резисторов»).
Каждый резистор кроме резистивной пленки содержит контактные площад-
ки. Конструкция и техпроцесс изготовления контактных площадок должны
обеспечивать:
1. Минимальное переходное сопротивление между резистивными пленками и
контактами.
2. Хорошую адгезию контактной площадки к подложке.
3. Равномерное распределение линий тока в контактном переходе.

Страницы