Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

23
ной пленки (табл. 3.2. «Технические характеристики пленочных контактных
площадок и проводников»).
Таблица 3.2.
Технические характеристики пленочных контактных площадок и проводников
Название слоя
Материал Толщина, Нм
R
0
, Ом
Рекомендуемый
способ
контактирования
Слой Алюминий А -99 300 - 600
0, 08 –
0,16
Пайка
Подслой
Слой
Нихром х20н80
Алюминий А -99
10 – 30
300 – 600
0, 08 –
0,16
Пайка, сварка
Подслой
Слой
Покрытие
Нихром х20н80
Алюминий А– 99
Никель
40 – 50
250 – 350
50
0,1 – 0,2
Пайка, сварка
Подслой
Слой Покры-
тие
Нихром х20н80
Медь МВ
Никель
10 – 30
600 – 800
80 – 120
0,02 –
0,04
сварка
Подслой
Слой Покры-
тие
Нихром х20н80
Медь МВ
Серебро Ср 999,9
10 – 30
400 – 1000
80 – 100
0,02 –
0,04
Пайка, сварка
Подслой
Слой Покры-
тие
Нихром х20н80
Медь МВ
Золото Зл 999,9
10 – 30
600 – 800
50 - 60
0,02 –
0,04
Пайка, сварка
Подслой
Слой
Нихром х20н80
Золото Зл 999,9
10 – 30
600 - 800
0,03 –
0,04
Пайка, сварка
На рис. 3.1 представлены конструкции тонкопленочных и толстопленочных
резисторов. Введем конструкторские размеры резисторов: l – длина, b – шири-
на, d – толщина, δ – величина перекрытия пленочных слоев, которая, в свою
очередь, зависит от технологии изготовления.
Тогда сопротивление резистора равно
bd
l
R
⋅
⋅ρ=
ν
, ( 3.1 )
где ρ
ν
– удельное объемное электрическое сопротивление материала резистора,
размерность которого есть [Ом · см].
Обозначим
ρ
ν
/ d = ρ
S
( 3.2 )
и назовем этот параметр удельным поверхностным сопротивлением пленочного
резистора.
Введем понятие коэффициента формы пленочного резистора К
Ф
К
Ф
= l / b ( 3.3 )

Страницы