Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

19
Рекомендуются элементы проводниковой связи вместе с контактными пло-
щадками выполнять в системе прямоугольных координат Г-, T-
,
Z- и
П-образной формы.
4. Минимальный зазор между пленочными элементами.
Для фотохимического метода изготовления затеняющих трафаретов мини-
мум зазора (минимальная перемычка) составляет 1-2 толщины материала тра-
фарета: d ≥ (1-2)t, где t
-толщина трафарета. Ширина перемычки, превышаю-
щая утроенную толщину трафарета, допускается при общей длине перемычки
не более (30 - 40) t. С увеличением длины перемычки ее ширина (зазор) возрас-
тает. Для фотонегативов пределом является их разрешающая способность, ко-
торая составляет десятки микрон. Предельные расстояния зависят также от
ошибки в совмещении одного слоя пленки с другим и от оптических и диффу-
зионных факторов, например, от подпыления при нанесении пленок через за-
теняющие трафареты.
После предварительной планировки производится расчет резисторов слож-
ной формы, затем всех остальных резисторов. Все резисторы должны иметь по
возможности максимальную площадь.
Распределение пленочных элементов в плоскости должно быть равномерно
насыщенным, т. е. в топологической структуре микросхемы не должно быть
мест явной скученности или разряженности элементов. Минимальные зазоры
между элементами должны быть одинаковыми - не слишком узкими и не
слишком широкими. Отношение широкого зазора к узкому должно быть в пре-
делах двух. Линии контура элементов должны быть предельно простыми.
Излишки площади на подложке должны использоваться для улучшения техни-
ческих характеристик и снижения чувствительности топологической структуры
ГИС к несовершенству технологии изготовления. Средства к тому - увеличение
контактных площадок и зазоров между элементами, упрощение формы элемен-
тов и т. д.
При наличии в принципиальной электрической схеме элементов R
и С, вза-
имно шунтирующих друг друга, и при отсутствии возможности контролиро-
вать каждый элемент в отдельности в топологической структуре предусматри-
ваются разрывы, которые после контроля перекрываются каплями припоя, пе-
ремычками или проводящими смолами.
При планировке и определении контуров пленочных компонентов микросхе-
мы, расположенных в одном слое, элементы контуров следует располагать по
возможности на одной линии: вертикальные - на вертикальных линиях, гори-
зонтальные - на горизонтальных (рис.2.1). Этим достигается минимизация раз-
меров цепей в слое.
Для навесных деталей, таких как микротранзисторы, микродиоды и другие,
располагаемых на свободных от пленочных элементов местах подложки, дела-
ются метки, обозначающие расположение (приклейку) этих элементов на под-
ложке. Форма меток может повторить форму соответствующих микроэлемен-
тов, а ее ориентация должна соответствовать топологической структуре
микросхемы.

Страницы