Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

18
да годной подложки с заданной точностью пленочных элементов, падает про-
изводительность и возрастает стоимость производства микросхем.
2.4.
Компоновка топологической структуры ГИС
Плоский план микросхемы, представляющий ее топологическую структуру,
образуется в процессе компоновки на плоскости элементов схемы и связей ме-
жду ними по выбранному оптимальному графу принципиальной электрической
схемы. На этапе компоновки в конкретных геометрических формах элементов
микросхемы обусловливается реализация электротехнических параметров схе-
мы с учетом особенностей технологии изготовления ГИС. Каждому элементу
схемы, в том числе и элементам коммутации - проводникам, придаются в плос-
кости конкретные геометрические формы и размеры с учетом взаимной ориен-
тации элементов, соответствующей оптимальному графу. Предварительное вы-
черчивание компоновки производится на миллиметровой бумаге в масштабе
10:1 или 20:1. Окончательный вариант топологической структуры ГИС выпол-
няется в увеличенном масштабе с точностью до деления координатной сетки.
Изображается общий вид ГИС, где обозначается каждый слой соответствую-
щей штриховкой.
При осуществлении компоновки можно придерживаться следующих реко-
мендаций:
1. Допустимая форма элементов контура при образовании топологической
структуры.
Контур пленочного элемента может состоять из комбинаций прямых и кри-
вых элементов - отрезков или прямых отрезков, расположенных под произ-
вольными либо под определенными углами, например 90 и 45° или только 90°.
При изготовлении рисунка вручную возможна произвольная форма контура,
с помощью координатографа воспроизводятся контуры из взаимно перпенди-
кулярных отрезков, кибернетические системы могут воспроизводить сложную
конфигурацию.
2. Последовательность составления эскизного варианта топологической
структуры ГИС.
Первому эскизному наброску подвергаются элементы внутреннего и внеш-
него соединения - контактные площадки, проводниковые связи, соединяющие
области расположения элементов схемы (резисторов, конденсаторов, навесных
элементов). Затем размещаются конденсаторы и резисторы, площади которых
известны. Резистивные элементы занимают наибольшую площадь подложки,
область под отдельный резистор по площади должна быть пропорциональна
коэффициенту формы резистора. Форма резистора зависит от конкретной си-
туации, возникающей при предварительной планировке.
3. Форма элементов проводниковой связи.

Страницы