Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

17
ки конструкции модуля и выбора метода герметизации. Если S >S
П
, т. е. до-
пустимая площадь больше площади конкретной подложки, то последняя опре-
деляется теми или иными конструктивными возможностями. Например, если
S/S
П
≤ 2, то расположить схему устройства на подложке S
П
можно, применяя
метод многослойного конструирования пленочных микросхем. Для
S/S
П
= 1,1 – 1,3 при проектировании топологической структуры допускается час-
тичная многослойность пленочной конструкции, например, используется структу-
ра конденсатора для конструирования шин питания.
При проектировании резисторов можно выбрать другое значение ρ
ٱ
,
если
ранее выбранное не обеспечивает минимума S
∑R
, или снизить требования к
точности изготовления резисторов по их геометрии, или повысить значение P
0
для
резисторов и С
0
для конденсаторов. Отношение S/S
П
= l,l осуществимо только
при тщательной планировке топологической структуры микросхемы после ее
графического анализа.
2.3. Определение степени интеграции принципиальной электрической
схемы устройства.
Процесс конструктивной интеграции принципиальной электрической схемы
является наиболее сложным в общем подходе к конструкции всего устройства.
Основными соображениями, которыми следует руководствоваться при реше-
нии этого вопроса, являются следующие:
1. Линия расчленения схемы должна проходить в местах наименьших связей
между функционально законченными частями схемы, например, между каска-
дами усилителя без обратной связи.
2. Расчлененные части схемы должны иметь примерно одинаковый баланс по-
требляемой мощности.
3. Мощность единичной конструкции (модуля) не должна превышать допусти-
мой удельной мощности для данного типа герметизации микросхемы (типа и
размера корпуса модуля).
4. Нельзя расчленять элементы схемы, находящиеся в заданном отношении, на-
пример, резисторы делителя напряжения.
5. При расчленении количество входных и выходных цепей в каждой части схе-
мы должно быть минимальным. Количество входов и выходов, включая
подвод питания и выводы контрольных точек, не должно превышать общего
количества выводов в единичной конструкции (модуле).
6. При расчленении схемы следует уменьшать длину связей, чувствительных к
влиянию на них паразитных параметров.
7. При расчленении каждая часть схемы должна размещаться на заданном ти-
поразмере подложки или каждая часть схемы должна требовать для своего раз-
мещения примерно одинаковую площадь подложки.
8. При расчленении схемы необходимо учитывать физико-технологические и
технико-экономические условия изготовления микросхемы. С увеличением
площади подложки и числа элементов на ней уменьшается вероятность выхо-

Страницы