Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

15
микросхеме.
Анализ принципиальной схемы на установление количества и типов кон-
тактных площадок для внешнего соединения микросхемы с выводами и ввода-
ми модульной конструкции, а также для внутреннего соединения навесных
элементов с пленочными, производится расчетом, подтверждающим необхо-
димость в таких площадках. Затем по характеристике присоединяемого эле-
мента и справочным данным по технологии присоединения определяется вели-
чина необходимой площади контактной площадки для данного вида присоеди-
нения (внешний вывод, вывод транзистора, перемычка и т. д.). Общая необхо-
димая площадь всех контактных площадок
S
k
=
∑
m
i
S
1
( 2.3 )
где Si - площадь i-й площадки; m - общее число площадок.
2.2.4. Определение необходимой площади под пленочные конденсаторы.
Общая площадь всех однослойных конденсаторов в ГИС определяется по
формуле:
S
C
=
∑
n
i
C
С
1
0
( 2.4 )
где С
i
- емкость i-го конденсатора; n - количество конденсаторов;
С
0
- удельная емкость конденсаторов, пФ/см
2
.
2.2.5. Определение необходимой площади под пленку резисторов.
Расчет площади, занимаемой резисторами, может быть произведен двумя
способами: в зависимости от точности геометрии резистора или в зависимости
от мощности.
1. Площадь резистора в зависимости от точности геометрии резистора равна
S
R (∆)
=
2
∆+
γ
∆
+
γ
∆
× b
b
k
l
k
ФФФ
Ф
( 2.5 )
В этом выражении
k
Ф
= R/ρ
ٱ
; ρ
ٱ
- удельное сопротивление данного резистора;
∆
l
и ∆
b
- абсолютные ошибки геометрических размеров резистора (длина
l
и
ширина
b
), определяемые выбранным методом изготовления микросхемы;
γ
Ф
=
0,l - 0,5.
2. Площадь резистора в зависимости от мощности, рассеиваемой на резисторе,
равна
S
R (P)
= P/P
0
, ( 2.6 )
где Р
и Р
0
- номинальная и допустимая удельная мощность, рассеиваемая на ре-
зисторе.

Страницы