Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 14 стр.

UptoLike

Составители: 

14
оптимума
p
ٱ опт
=
( )
×γ
n
i
n
i
ф
R
R
1
1
1
1 ( 2.1 )
где R - номинал i-ro резистора; n - число резисторов;
γ
Ф
- погрешность геометрии резисторов, или коэффициент формы.
Если трудно получить таким путем оптимальное значение p
ٱ
, выбирают бли-
жайшее по номиналу значение p
ٱ
, удовлетворяющее требованиям на резисторы
для схемы устройства.
Полная технологическая погрешность резистора γ
R
численно равна сумме
погрешности геометрии резистора γ
ф
и погрешности воспроизведения элек-
трофизической характеристики p
ٱ
резистивной пленки γ
ρٱ
γ
R
= γ
ф
+ γ
ρٱ
( 2.2 )
Составляющие этой погрешности лежат в пределах: γ
ф
= ( 0,1-0,5) γ
R
;
γ
ρٱ
=
(0,9 - 0,5) γ
R
. Выбранное ρ
ٱ
должно иметь технологическую характеристи-
ку: γ
ρٱ
< γ
R
.
Если отношение R
макс
/R
мин
в схеме, расположенной на одной подложке, пре-
вышает 50, то в некоторых случаях целесообразно изготовлять резисторы из
двух материалов, т. е. в виде двух различных пленок. Резисторы схемы разби-
ваются на две группы так, чтобы R
макс
первой группы было меньше, а R
мин
вто-
рой группы больше значения сопротивления, соответствующего ρ
ٱ опт
, рассчи-
танному для всех резисторов схемы по формуле ( 2.1 ). Затем по той же форму-
ле рассчитывается р
ٱ опт
для каждой группы резисторов в отдельности.
2.2.2. Выбор удельной емкости С
0
диэлектрической пленки конденсаторов.
Удельная емкость конденсатора с диэлектрической пленкой С
0
выбирается
по наибольшему ее значению при условии удовлетворения всех остальных па-
раметров пленки требованиям на конденсаторы схемы. Выбранное значение С
0
используется для оценки площади микросхемы. Избыток подложки может
быть использован для улучшения параметров других элементов, например ре-
зисторов. При этом вырастает точность их изготовления. Увеличение площади
под конденсаторы снижает значение С
0
и улучшает некоторые параметры кон-
денсаторов: повышает рабочее напряжение и увеличивает надежность в отно-
шении коротких замыканий.
2.2.3. Определение необходимой общей площади контактных площадок в