Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

13
Пленочные конденсаторы имеют тенденцию к замыканию накоротко при из-
готовлении и эксплуатации; несовершенство технологии зависит от площади
конденсатора, поэтому необходимо знать параметр, показывающий частоту за-
мыканий, или число замыканий, приходящееся на единицу поверхности кон-
денсатора. Такой параметр позволяет установить наибольшую допустимую
площадь (емкость) конденсатора при заданной его надежности изготовления
(или выхода годных) и эксплуатации.
Справочные данные по диэлектрическим пленкам: 1) пробивное напряжение
U
пр
в функции удельной емкости или в функции толщины пленки; 2) рабочее
напряжение U
р
; 3) tg δ в функции удельной емкости (толщины) на частоте f или
в диапазоне частот; 4) ТКЕ для данной пленки; 5) параметры стабильности при
различных испытаниях и параметры надежности.
Справочные данные позволяют уточнить величину надежности спроектиро-
ванной конструкции при ее эксплуатации. Для расчета взаимных емкостных
связей между элементами микросхем необходимо задаться диэлектрической
постоянной материала подложки ε', диэлектрической постоянной среды, по-
крывающей элемент сверху, ε" и удельным сопротивлением квадрата провод-
никовой и контактной пленки p
ٱ
.
В зависимости от геометрических размеров навесных элементов, методов и
способов их присоединения (пайка, сварка, термокомпрессия) выбираются кон-
структивные размеры контактных площадок для таких соединений.
2.2. Основные принципы проектирования топологической структуры
гибридной интегральной схемы
Особенно трудным в проектировании топологической структуры ГИС явля-
ется этап компоновки (планировки) такой структуры. Ниже приводятся мето-
дические рекомендации по организации планировки топологической структуры
ГИС. Предварительный анализ принципиальной схемы и схемно-технических
данных выполняется с целью:
а) выяснить возможность выполнения данной схемы устройства с ее схемно-
техническими параметрами и конструктивно-компоновочными требованиями
в гибридно-пленочной конструкции при имеющихся технических возможно-
стях;
б) определить минимальную площадь под гибридно-пленочную микросхему
конкретного устройства;
в) определить степень интеграции схемы всего устройства.
2.2.1. Выбор оптимального p
ٱ
квадрата резистивной пленки
Это важнейшая часть анализа, так как он определяет возможность реа-
лизации конкретного устройства в гибридно-пленочном варианте. В качестве
критерия оптимальности p
ٱ
можно принять минимальную необходимую пло-
щадь, которую займут все резисторы схемы и которой соответствует значение

Страницы