Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

12
Затеняющие трафареты, изготовленные фотохимическим способом из биме-
таллической заготовки, имеют ошибку ±10 мкм. Отверстия в таком трафарете
для изготовления прямолинейного резистора имеют ошибку по ширине и по
длине резистора ∆d = ∆l = ±10 мкм. При изготовлении пленочного резистора
или конденсатора через такой трафарет вакуумным напылением возникают,
кроме того, искажения ширины d и длины l резистора на величину ∆
иск
за счет
так называемого эффекта тени, возникающие в результате подпыления распы-
ляемого материала под трафарет. При наложении одного вида пленки на дру-
гой, например резистивной на проводниковую, неизбежны неточности в на-
ложении - так называемые ошибки совмещения трафарета с подложкой ∆
совм
.
Ошибку совмещения необходимо учитывать при разработке топологической
структуры ГИС. Для совмещения элементов, лежащих в разных слоях, преду-
сматривается перекрытие не менее 200 мкм.
Точность воспроизведения электротехнических параметров пленок.
Точность воспроизведения физических свойств пленки в процессе их изго-
товления является важным условием при выборе пленок для элементов. Точ-
ность воспроизведения резистивной пленки определяется относительной по-
грешностью в номинальном значении удельного сопротивления квадрата изго-
товленной пленки. Эта погрешность зависит от номинального значения удель-
ного сопротивления γ
ρٱ
= f(ρ
ٱ
).
Другим важным параметром является достоверность получения данного ρ
ٱ
с заданной точностью γ
ρٱ
его воспроизведения. Она
относится к части или ко
всей площади подложки. Например, при
подложке 100 на 100 мм пленку с
ρ
ٱ
=500 Ом/ٱ можно получить
с точностью ±10% и достоверностью 0,8 на пло-
щади 70 см
2
. Иногда, кроме указанных характеристик, необходимо знать вели-
чину градиента неравномерности данного удельного сопротивления квадрата
пленки на ее поверхности. Градиент неравномерности grad p
ٱ
, проц/см
2
, отно-
сится к единице поверхности подложки. Этот параметр используется в случае,
когда конструируются резисторы с заданной точностью отношения Ri/Rj.
Точность изготовления пленочных конденсаторов ГИС описывается анало-
гичными параметрами γ
С0
= f(C
0
) относительная погрешность воспроизведения
номинального значения удельной характеристики С
0
.
Диэлектрические пленки предназначаются для получения пленочных кон-
денсаторов методами интегральной вакуумной технологии и должны иметь па-
раметры, обеспечивающие конструирование конденсаторов с заданными ха-
рактеристиками, в частности технологической и эксплуатационной надежно-
стью.
Основными параметрами пленки являются: диэлектрическая постоянная
пленки ε и удельная электрическая емкость однослойного (двухпластинчатого)
конденсатора С
0
- емкость, приходящаяся на единицу поверхности при некото-
рой толщине диэлектрической пленки и некоторой ее диэлектрической посто-
янной. При проектировании задается диапазон удельных значений, обеспечи-
ваемый данной технологией, С
0 мин
– С
0макс
, пФ/см
2
.

Страницы