Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

10
модулям, субмодулям, отдельным панелям и т. д.
Принципиальные электрические схемы устройств, представленные к разра-
ботке в гибридно-пленочной конструкции, подразделяются на две категории:
1. Схемы, морфологическая структура и схемотехнические данные которых
разработаны с учетом особенностей и ограничений, накладываемых интеграль-
ной гибридной технологией.
2. Схемы, переводимые в гибридно-пленочный вариант.
Отличительными признаками схем, разработанных для гибридно-пленочной
технологии изготовления, являются:
а) отсутствие резисторов с номинальными значениями, более 20 кОм.
б) отношение R
макс
/R
мин
не превышает 50.
в) соответствие номиналов резисторов непрерывной шкале.
г) отсутствие тенденции подведения номиналов резисторов по точности изго-
товления под нормализованный ряд номиналов (такая тенденция свойственна
конструированию изделий на дискретных компонентах).
д) мощность рассеяния резисторов указывается соответствующей их режиму в
схеме (максимальному режиму).
е) отсутствие или возможное уменьшение числа реактивных элементов схемы.
ж) отсутствие в процессе изготовления ГИС настраиваемых или подбираемых
компонентов.
Параметры элементов схемы, подвергающейся конструктивному расчету
при проектировании топологической структуры, приводятся в спецификации.
Она должна обеспечивать возможность проведения конструктивного расчета и
выбора материалов.
Для резисторов указывается:
номинальное значение R, Ом, кОм; погрешность номинального значения γ
R
,
%; номинальная мощность или мощность, на которую следует рассчитывать
конструкцию резистора, Р, мвт; точность отношения номиналов отдельных ре-
зисторов γ
Ri
/ R
j
, %; ТКС в рабочем диапазоне температур, l /град; стабиль-
ность резистора во времени δ
R
, %.
Для конденсаторов указывается:
номинальное значение С, пФ; погрешность номинального значения γ
С
, %; ра-
бочее напряжение U
р
, B; диэлектрические потери tg δ; ТКЕ в рабочем диапазо-
не температур, 1/град; точность отношения номиналов отдельных конденсато-
ров γ
Сi
/C
j
, %; стабильность во времени δ
C
, %.
Указываемые на резисторы и конденсаторы параметры ТКС, ТКЕ, δ
R
и δ
C
необходимы для выбора материала, используемого для напыления указанных
элементов и для учета γ
R
и γ
С
в заданном диапазоне температур. Они опреде-
ляют при разработке топологической структуры возможные и допустимые то-
пологические погрешности резисторов и конденсаторов. Кроме указанных ос-
новных параметров, для большей определенности результата проектирования
элементов приводятся дополнительные сведения.

Страницы