Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

8
2. ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ РАЗРАБОТКИ ГИС
Гибридная схема должна выполняться в виде функционально законченного
узла, но допускать возможность контроля над параметрами.
Разработка ГИС производится в следующей последовательности:
1. Производится анализ принципиальной электрической схемы устройства,
отработанной в навесном исполнении с учетом особенностей и возможностей пле-
ночной технологии: получения пленочных элементов необходимых номиналов с
заданной точностью, пробивным напряжением, рассеиваемой мощностью и др.
Учитываются параметры и конструкции активных элементов, надежность и
экономические факторы.
2. Сложные схемы с большим количеством напыляемых элементов раз-
биваются на несколько функциональных узлов. При этом учитывается необходи-
мость наибольшей унификации ГИС.
3. Разрабатывается конструкция ГИС.
4. Разрабатывается топология и морфология ГИС.
5. Оформляются чертежи ГИС.
6. Изготавливается экспериментальный образец.
7. Проводятся испытания ГИС, предусмотренные в технических условиях на из-
делие.
8. Производится корректировка технической документации.
По принципиальной электрической схеме определяется перечень напыляе-
мых элементов. В перечне приводятся сведения о номиналах, допусках, максимальной
рассеиваемой мощности (для резисторов), максимальное напряжение (для конденса-
торов). Расположение и размеры контактных площадок зависят от принятого способа
контактирования или сварки, а также от расположения жестких выводов.
Для разработки топологии и морфологии необходимо указать:
1. Паразитные связи утечки, возникающие между элементами или узлами
схемы, и элементы и узлы, паразитные связи и утечки между которыми должны
быть минимальными.
2. Диапазон рабочих частот разрабатываемого устройства.
3. Величину сопротивления коммутационных проводников и проводников, подводя-
щих питание.
4.Шаг и пределы регулировки - для элементов, с помощью которых осуществ-
ляются регулировка и настройка.
Разработку топологии следует выполнять с учетом особенностей кон-
струкции ГИС и устройства в целом: его габаритов, расположения выводов и
др.
При конструировании ГИС и разработке топологии учитываются сле-
дующие основные ограничения:
1.Пассивные элементы, к точности которых предъявляются жесткие
требования, располагаются на расстоянии не менее 1000 мкм от краев подлож-
ки и осевых линий прижимных перегородок.
2. Если элементы расположены в различных слоях, для их совмещения преду-

Страницы