Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

6
3. Химическое осаждение из газовой фазы.
Химическое осаждение происходит в результате химической реакции в газо-
вой фазе при повышенной температуре и осуществляется в эпитаксиальных
или диффузионных установках.
Этот способ используется для получения пленок поликристаллического
кремния и диэлектриков. Достоинствами химического осаждения из газовой
фазы являются простота, хорошая технологическая совместимость с другими
процессами создания полупроводниковых микросхем и сравнительно невысо-
кая температура, благодаря чему практически отсутствует нежелательная раз-
гонка примеси в пластинах. Скорость осаждения определяется температурой и
концентрацией реагирующих газов в потоке нейтрального газа – носителя и со-
ставляет в среднем несколько сотых долей микрометра в минуту.
4. Химическое осаждение из водных растворов.
Применяемое в технологии гибридных микросхем химическое осаждение из
водных растворов основано на восстановлении металлов из растворов их солей.
Таким образом, можно получать не только тонкие, но и толстые пленки (20
мкм и более), применяемые, например, для создания жестких и балочных вы-
водов бескорпусных полупроводниковых микросхем, транзисторов, а также
металлических масок (трафаретов).
1.2.
Материалы для подложек
Подложка в конструкции гибридной интегральной микросхемы является ос-
нованием, на котором располагаются пленочные элементы и навесные компо-
ненты. От ее свойств во многом зависит качество всей конструкции.
Подложки, используемые при изготовлении гибридных интегральных микро-
схем, должны удовлетворять следующим требованиям: иметь значительную
механическую прочность при небольших толщинах; обладать высоким удель-
ным электрическим сопротивлением и малыми потерями на высоких часто-
тах (tgб) и при высокой температуре; быть химически инертными к осаж-
даемым веществам; не иметь газовыделений в вакууме; сохранять физиче-
скую и химическую стойкость при нагревании до 400 - 500°С; иметь темпера-
турный коэффициент линейного расширения (ТКЛР), близкий к ТКЛР оса-
ждаемых пленок; способствовать обеспечению высокой адгезии осаждаемых
пленок; иметь гладкую поверхность (R
z
мкм на длине 0,08 мм); обладать вы-
сокой электрической прочностью; иметь низкую стоимость.
Основные электрофизические и механические свойства материалов, которые
используются для изготовления подложек гибридных ИМС, приведены в
таблице 1.1 «Характеристики подложек».
Наиболее широкое применение при создании тонкопленочных гибридных
ИМС находят подложки из ситалла СТ 50-1, стекла С 48-3, «Поликора» и бе-
риллиевой керамики. Промышленностью выпускаются подложки различных
типоразмеров. Однако в качестве базовых преимущественно используются

Страницы