Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

5
1.
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ
Термин «тонкие пленки» обозначает покрытия толщиной не более 10 мкм.
Пассивные компоненты интегральных схем формируются избирательным оса-
ждением тонких пленок на подложках. Тонкие пленки широко используются в
полупроводниковых и гибридных интегральных микросхемах для создания
проводниковых соединений, таких как резисторы, конденсаторы и изоляция
между элементами и проводниками. Помимо необходимых электрофизических
параметров от них требуется хорошая адгезия (прочность связи) к материалу,
на который наносится пленка. Некоторые материалы имеют плохую адгезию с
подложками, например, золото с кремнием. Тогда на подложку сначала наносят
тонкий подслой с хорошей адгезией, а на него – основной материал, имеющий
хорошую адгезию с подслоем. Для предотвращения повреждений пленок при
колебаниях температуры желательно, чтобы ТКР пленок и подложек как мож-
но меньше отличались друг от друга.
1. 1. Методы получения тонких пленок
В настоящее время существует довольно много методов получения тонких
пленок, основанных на различных физических процессах.
Основными из них являются следующие процессы:
1. Термическое вакуумное испарение.
По этому методу тонкие пленки получаются в результате нагрева, испарения
и осаждения вещества на подложку в замкнутой камере при сниженном давле-
нии газа в ней.
Недостатками данного способа являются невысокая воспроизводимость па-
раметров пленки из-за плохого контроля температуры и кратковременности
процесса, а также невозможность воспроизведения химического состава испа-
ряемого вещества (например, сплава или химического соединения) из-за разной
скорости испарения входящих в него компонентов. Поэтому термическое ваку-
умное испарение применяется, в основном, только для чистых металлов.
2. Распыление ионной бомбардировкой.
Ионно-плазменное напыление происходит в тлеющем разряде и состоит в
распылении материала отрицательно заряженного электрода - мишени под дей-
ствием ударяющихся о него ионизированных атомов газа и осаждении распы-
ленных атомов на подложку.
По сравнению с термическим вакуумным испарением данный процесс по-
зволяет получать пленки тугоплавких металлов, наносить диэлектрические
пленки, соединения и сплавы, точно выдерживая их состав, обеспечивать рав-
номерность и точное воспроизведение толщины пленок на подложках большей
площади, а также малую инерционность процесса.

Страницы