Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

4
ПРЕДИСЛОВИЕ
При конструировании современной радиоэлектронной аппаратуры исполь-
зуются новые разработки в области микроэлектроники и нанотехнологии. Но
вопрос получения и использования тонких пленок до сих пор актуален, т.к. на
их основе разрабатываются гибридно-пленочные интегральные микросхемы.
Тонкопленочные элементы применяются не только в гибридных, но и в неко-
торых полупроводниковых микросхемах, например, аналоговых СВЧ диапазо-
на на арсениде галлия. В кремниевых цифровых БИС используются резистив-
ные слои поликристаллического кремния. В СВЧ диапазоне также используют-
ся тонкопленочные конденсаторы с емкостями порядка десятых долей пикофа-
рады. В этом же диапазоне находят применение гребенчатая структура конден-
сатора, плоские прямоугольные или круглые пленочные индуктивные элемен-
ты.
В настоящем учебном пособии рассматриваются вопросы проектирования и
расчета пленочных элементов различного назначения.
В первой главе представлены общие сведения о технологии получения тон-
ких пленок, особенности методов их получения и приведены характеристики
материалов подложек для изготовления гибридно-пленочных интегральных
микросхем (ГПИМС).
Вторая глава посвящена изучению последовательности (алгоритма) разра-
ботки топологии гибридно-пленочных интегральных микросхем. В ней также
приведены необходимые данные для проектирования и расчета структуры ГИС.
В третьей главе рассмотрены различные конструкции тонкопленочных рези-
сторов и контактных площадок. Приведена методика выбора материалов для
резистивных пленок, контактных площадок и соединений, а также последова-
тельность расчета вышеуказанных элементов.
Четвертая глава посвящена изучению методики расчета особо точных (пре-
цизионных) резисторов. В этой главе также приводится оценка сопротивления
и индуктивности пленочных проводников, рассмотрены частотные свойства
пленочных резисторов.
Пятая глава содержит описание различных конструкций тонкопленочных
конденсаторов, методику расчетов конденсаторов без подстроечных секций и
конденсаторов повышенной точности. В ней также обоснован выбор материала
для диэлектрических пленок тонкопленочных конденсаторов.
В шестой главе представлена методика расчета различных пленочных индук-
тивных элементов.
В седьмой главе рассматриваются вопросы обеспечения теплового режима
микросхем в зависимости от их конструктивных особенностей.
Это пособие может быть полезно в качестве дополнительной литературы для
самостоятельной работы студентов, обучающихся по специальности 2102.0165
«Проектирование и технология радиоэлектронных средств».

Страницы