Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

11
К ним относятся:
1. По принципиальной электрической схеме: величина сопротивления наи-
более критичных коммутационных связей (проводников) и тип питания, вели-
чина паразитных параметров между наиболее опасными с точки зрения взаимо-
связи элементами или узлами схемы; допустимая величина емкости шин пита-
ния между собой и относительно нулевой (земляной) шины; рабочий диапазон
частот схемы; общая мощность, рассеиваемая схемой; наличие контрольных
точек и необходимость доступа к ним.
2. По параметрам элементов - пределы изменения номиналов резисторов и
конденсаторов, требующих подгонки после изготовления.
Конструктивно-компоновочные данные подразделяются на общие и част-
ные. К общим данным относятся объем отдельного модуля или всего устройст-
ва, необходимая геометрическая форма устройства: куб, параллелепипед, пло-
ский субмодуль, плоский модуль. К частным конструктивно-компоновочным
данным относятся: размер подложки, максимально возможное количество
внешних выводов с подложки, порядок расположения выводов в микросхеме
(модуле) или в группе модулей; формирование единой топологической струк-
туры для ряда схем, которые могут образовываться введением дополнительных
перемычек или коммутационных слоев пленки; обеспечение контроля отдель-
ных элементов и конструктивное оформление контрольных точек и доступа к
ним; данные и компоновочно-монтажные требования к активным и другим на-
весным элементам, располагаемым непосредственно на микросхеме, данные по
допустимому тепловому режиму микротранзисторов. Выбор конкретных дан-
ных при проектировании производится технологом, выполняющим разработку
микросхемы в контакте с разработчиком схемы устройства.
Технологические данные характеризуют возможность изготовления схемы
(модуля) или устройства (группы модулей) с заданными параметрами. Это дан-
ные о качественных параметрах технологии получения пленок и сложных пле-
ночных структур (например, тип конденсатора); данные о параметрах пленок
различного назначения (резистивные, проводниковые, контактные, диэлектри-
ческие, защитные) и о комбинации различных пленок (конденсатор, резистив-
но-проводящий переход и др.); данные о количестве наносимых слоев в раз-
личной последовательности напыления материалов и др.
Точность изготовления геометрического контура пленочных элементов
микросхемы.
Точность изготовления геометрического контура элемента ИПС в техноло-
гической оснастке (трафареты, негативы), с помощью которых получают ри-
сунок микросхемы, ее топологическую структуру, определяется следующими
погрешностями: ошибкой по контуру для данной технологии изготовления
рисунка в оснастке - трафаретах - ∆; ошибкой в линейном размере - ∆d; ошиб-
кой в линейном размере, перпендикулярном первому, - ∆l.

Страницы