Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 20 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Простановка размеров на чертеже слоя производится проведением абсцисс и

ординат в системе прямоугольных координат Х и У через соответствующие

элементы контуров, составляющих рисунок слоя. Против каждой ординаты и

абсциссы ставится число, обозначающее расстояние в миллиметрах от началь-

ной нулевой координаты. Местоположение нулевой координаты является клю-

чом к ориентации слоев относительно друг друга. Принцип простановки раз-

меров представлен на рис.2.1

Контуры и размеры диэлектрической пленки можно не ограничивать необ-

ходимыми величинами для данного конденсатора или группы конденсаторов:

диэлектрический слой может покрывать также требующие защиты пленочные

элементы. При этом возможно одним трафаретом наносить диэлектрический

слой пленки для конденсаторов и защитный слой всей микросхемы.

Рис.2.1. Схема расположения пленочных элементов на микроплате:

а- не рекомендуемое расположение, б - рекомендуемое