Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 28 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

28
5. Определяется ширина резисторов, имеющих К
ф
> 1. Расчетное значение
ширины каждого резистора b
расч
b
расч
≥ max (b
техн
, b
точн
, b
Р
), ( 3.10 )
здесь b
техн
– минимальное значение ширины, определяемое технологическими
факторами; b
точн
определяется заданной точностью изготовления; b
P
- значение
ширины, обеспечивающее необходимую мощность рассеяния
b
точн
≥ [(∆b + ∆l / К
ф
)] / γ
Кф
, ( 3.11 )
где К
ф
берется в долях единицы;
b
P
=
ф
рас
КР
P
×
0
, ( 3.12 )
здесь Р
0
- допустимая удельная мощность рассеяния резистора;
Р
рас
- мощность, рассеиваемая на резисторе.
За ширину резистора b принимают ближайшее к b
расч
большее значение,
кратное шагу координатой сетки Н, принятому для чертежа топологии. Реко-
мендуется выбирать Н = 0,01 мм
6. Определяется длина резисторов, имеющих К
ф
≥ 1.
Расчетное значение
l
расч
для каждого резистора с К
ф
> 1 .
l
расч
≥
max (l
техн
, l
точн
, l
Р
),
l
точн
= (∆l + ∆b· K
ф
)/ γ
Кф
l
P
=
0
Р
KP
фрас
×
( 3.13 )
За длину резистора принимают ближайшее к
l
расч
большее значение, кратное Н.
7. Определяется ширина резистора с К
ф
< 1.
Расчетное значение ширины каждого резистора определяется по формуле
b
расч
= l / К
ф
( 3.14 )
Полученные значения b
расч
округляются в большую сторону с точностью до Н.
Таким образом получают b каждого резистора.
8. Определяется длина резисторов с 1 ≤ К
ф
≤ 10.
Расчетное значение длины резисторов прямоугольной формы определяет-
ся по формуле
l
расч
= b· К
ф
( 3 15 )
За длину резистора l принимают ближайшее к
l
расч
значение, кратное Н.
При использовании конструкции, показанной на рис. 3.2.б, сумма длин рези-
стивных полосок должна равняться длине
l
расч
, определенной по приведенной
выше формуле.
9. Рассчитываются геометрические размеры резисторов с К
ф
> 10.
Размеры пленочного резистора типа меандр приведены на рис. 3.3.

Страницы