Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 29 стр.

UptoLike

Составители: 

29
Рис. 3.3. Размеры пленочного резистора типа меандр.
Условные обозначения: b – ширина резистора; a – расстояние между резистив-
ными полосками; t – шаг одного звена меандра, равный t = a+b;
L
M
длина контура меандра; В
М
ширина контура меандра; l
ср
длина средней
линии меандра; n = L
М
/ t – число звеньев меандра
Расчет меандра ведется после определения ширины b резистора в следующей
последовательности:
а) определяется длина средней линии l
ср
как l
ср
= b·К
ф
б) задается расстояние а с учетом технологических ограничений при масочном
методе формирования конфигурации а
min
= 200 мкм, при фотолитографическом
а
min
= 25 мкм. Обычно выбирают а = b;
в) определяется оптимальное число звеньев n
oпт
при условии, что площадь, за-
нимаемая меандром, минимальна. Это достигается в том случае, когда меандр
вписывается в квадрат
n
опт
=
t
a
t
l
t
a
рс
24
2
2
+ ( 3.16 )
Если отношение (l
ср
/ b) 10, то вместо приведенной формулой пользуются
приближенной формулой
n
опт
=
t
l
ср
( 3. 17 )
Вычисленную величину n
опт
округляют до ближайшего целого.
г) определяется длина меандра
L = n(
a
+
b
) ( 3.18 )
д) определяется ширина меандра
B
=
n
nal
рс
( 3.19 )
Расстояние а выбирается из конструктивных соображений. Оно должно удов-
летворять условию: (B b) /a 10. Если это условие не выполняется, то необ-
ходимо изменить величину а и вновь вычислить n
опт ,
L и В.