Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 31 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

31
3.3. Пленочные переходные контакты и межсоединения
3.3.1. Конструирование пленочных переходных контактов.
Разновидности конструкций пленочных переходных контактов, формируе-
мых к резисторам методом напыления через маски или методом фотолитогра-
фии, показаны на рис. 3.4. Минимальное сопротивление таких контактов опре-
деляется по следующей формуле:
b
ρρ
=R
ккв
minк
, ( 3.25 )
где ρ
кв
– сопротивление квадрата резистивной пленки, Ом/кв; ρ
к
– удельное пе-
реходное сопротивление квадрата, Ом·мм
2
; ρ
к
= 0,05 – 0,25 Ом·мм
2
при полу-
чении контакта на многопозиционных вакуумных установках, позволяющих
проводить цикл напылений без разгерметизации установок; ρ
к
= 2,5 – 5 Ом·мм
2
при создании контакта на нескольких установках (с разгерметизацией); b – ши-
рина тонкопленочного резистора, мм (конструктивные параметры пленочных
контактов указаны на рис. 3.5.
Максимально допустимую величину сопротивления пленочного переходного
контакта вычисляют по формуле
2
Rγ
R
Rк
доп к.
=
, ( 3.26)
где R – сопротивление резистора, Ом; γ
Rк
– относительная погрешность сопро-
тивления резистора, обусловленная образованием переходных контактов, %
(величина γ
Rк
выбирается равной 1 – 3 % и в дальнейшем уточняется).
Затем проверяется выполнение условия
к.доп.minк
RR
<
Если окажется, что данное условие не выполняется, то необходимо умень-
шить значение R
к min
за счет увеличения ширины резистора. В этом случае на-
ходят применение гантелевидные резисторы (рис. 3.4).
Рис. 3.4. Разновидности конструкций пленочных переходных контактов,
формируемых различными методами: а, б – напыление через маски;
в – фотолитография; 1 – резистивная пленка; 2 – контактная площадка.

Страницы