Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 32 стр.

UptoLike

Составители: 

32
Рис. 3.5. Конструктивные параметры пленочных переходных контактов
к резистивной (а) и проводящей (б) пленкам:
b – ширина пленки; h – величина перекрытия;
l
K
длина переходного контакта; B – ширина переходного контакта.
Минимальная длина переходного контакта определяется по формуле
кв
к
minк
ρ
ρ
1,5l
( 3.27 )
В заключение вычисляют полную длину переходного контакта и ширину
проводящей пленки (рис.3.5, а):
( )
,
η
b2b B
η
;
ll l
min
к
к
++
+
+
где b и
l
погрешности изготовления масок, мм; η погрешность установки
масок и их совмещения при напылении переходных контактов, мм.
Величина перекрытия h (рис. 3.5) определяется суммой значений b и η, од-
нако для масочного метода изготовления контактов h 0,2 мм.
Для упрощения вычислений по формуле (3.27) можно воспользоваться номо-
граммой, представленной на рис. 3.6.
В случае контакта двух проводящих пленок (рис. 3.5, б)
к
кк
кв
min
к
bl
ρ
b
l
'
ρ
=R +
, ( 3.28 )
где ρ′
кв
сопротивление квадрата проводящей пленки, Ом/кв; l
к
длина пере-
ходного контакта, мм.
Остальные конструктивные параметры переходного контакта (рис. 3.5, б) оп-
ределяют аналогично параметрам контакта между проводящей и резистивной
пленками.