Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем. Романова М.П. - 33 стр.

UptoLike

Составители: 

33
Рис. 3.6. Номограмма для определения минимальной длины
l
к min
пленочного
переходного контакта в зависимости от величины ρ
кв
резистивной пленки
и следующих значений ρ
к
, Ом·мм
2
:
1 – 0,01; 2 – 0,05; 3 – 0,1; 4 – 0,5; 5 – 1; 6 – 5.
3.3.2. Конструирование пленочных межсоединений
При конструировании гибридных ИМС, имеющих относительно
небольшие размеры, сопротивлением пленочных межсоединений можно
пренебречь.
Конфигурацию таких межсоединений выбирают в виде полосок минимальной
ширины, определяемой возможностями технологии. Если необходимо учесть
активное сопротивление пленочных проводников, то при расчете задают ли-
бо допустимую величину сопротивления пленочного проводника
R,
либо до-
пустимую величину падения напряжения
U
на пленочном проводнике и мак-
симальный ток /, протекающий по этому проводнику.